[发明专利]半导体装置及其制法、电路基板、电光学装置和电子仪器无效
| 申请号： | 200610003692.0 | 申请日： | 2006-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1819116A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 田中秀一;栗林满 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以谋求凸起电极厚膜化和制造成本降低化的半导体装置的制造方法。上述凸起电极(10)以树脂材料(12)作为芯，至少由导电膜(20)覆盖其顶部。具有由喷墨法将树脂材料配置在形成电极端子(24)的基板P上的工序和形成连接电极端子(24)和树脂材料的顶部的金属配线(20)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制法 路基 光学 电子仪器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，是制造具有凸起电极的半导体装置的方法，其特征在于，上述凸起电极以树脂材料作为芯，至少由导电膜覆盖其顶部，具有：由喷墨法将上述树脂材料配置在形成电极端子的基板上的工序，和形成连接上述电极端子和上述树脂材料的顶部的金属配线的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
