[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 200610001770.3 | 申请日： | 2006-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN1897303A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 王志豪;王大维;蔡庆威 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其形成方法，此半导体装置包括基底，栅极电极形成于基底上，栅极间隔物形成于栅极电极的两侧，源/漏极区域形成于基底中，以及导电区域形成于源/漏极区域上，导电区域包括第一导电区域以及第二导电区域，其中第二导电区域形成于第一导电区域以及栅极间隔物之间，第一导电区域的顶部表面是低于第二导电区域的顶部表面，且上述二顶部表面相差一台阶的高度。本发明所述半导体装置及其形成方法，在沟道区域中的拉伸应力得到提升的同时，亦能有效抑制电流拥挤效应的发生，使装置的驱动电流得以改善，且装置的漏电流亦可得以降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：一基底；一栅极电极，形成于该基底上；一栅极间隔物，形成于该栅极电极的两侧；一源/漏极区域，形成于该基底中；以及一导电区域，形成于该源/漏极区域上，该导电区域包括一第一导电区域以及一第二导电区域，其中该第二导电区域是形成于该第一导电区域以及该栅极间隔物之间，该第一导电区域的顶部表面是低于该第二导电区域的顶部表面，且上述二顶部表面相差一台阶的高度。
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