[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610001285.6 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1933175A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 阿希马·B·查克拉瓦蒂;安东尼·艾·乔;古川俊治;史蒂文·J·霍姆斯;韦斯利·C·纳特兹莱 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L21/205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在半导体制造工艺中选择性地形成锗结构的方法，以化学氧化物去除(COR)工艺从氮化物表面去除自然氧化物，然后将加热的氮化物和氧化物表面暴露到加热的含锗的气体中，以选择性地只在氮化物表面上而不在氧化物表面上形成锗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：第一绝缘体表面；第二绝缘体表面，与所述第一绝缘体表面相邻；和球状半导体结构，连接到所述第一绝缘体表面，其中，所述半导体结构不形成在所述第二绝缘体表面上。
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