[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200580050076.4 申请日: 2005-06-09
公开(公告)号: CN101199053A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 永井孝一 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在铁电电容器结构(30)采用堆叠型电容器结构时,为了除去导电插塞(22)的表面的取向性及高度差对铁电膜(40)的影响,在下部电极(39)(或者阻挡导电膜)与导电插塞(22)之间形成层间绝缘膜(27)。层间绝缘膜(27)是,通过平坦化其表面,而与下部电极(39)或者阻挡膜这样的导电膜不同,能够以不受到下层的取向性及高度差的影响的方式形成。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,具有:半导体衬底;导电插塞,其形成在所述半导体衬底的上方;电容器结构,其形成在与所述导电插塞的上方相匹配的部位,并通过下部电极与上部电极夹持具有铁电特性的铁电膜;以及层间绝缘膜,其形成在所述导电插塞与所述电容器结构之间,而且在所述层间绝缘膜中除了相当于所述导电插塞与所述下部电极之间的区域以外的部位,所述导电插塞与所述下部电极相电连接。
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