[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

半导体衬底；

导电插塞，其形成在所述半导体衬底的上方；

电容器结构，其形成在与所述导电插塞的上方相匹配的部位，并通过下部电极与上部电极夹持具有铁电特性的铁电膜；以及

层间绝缘膜，其形成在所述导电插塞与所述电容器结构之间，而且

在所述层间绝缘膜中除了相当于所述导电插塞与所述下部电极之间的区域以外的部位，所述导电插塞与所述下部电极相电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述层间绝缘膜的所述下部电极侧表面平坦。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还具有：

导电膜，其以覆盖所述导电插塞上表面的方式形成；

连接部，其在覆盖所述导电膜的所述层间绝缘膜内，形成于包括所述下部电极的周边区域的部位，而且隔着所述导电膜而电连接所述导电插塞和所述下部电极。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述连接部形成在俯视时位于所述下部电极的所述周边区域内的位置上。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述连接部由至少包含W或者Cu的导电材料形成。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述连接部形成在俯视时横跨包括所述下部电极的所述周边区域的所述下部电极的内外的位置上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述连接部由至少包含TiAlN或者贵金属的导电材料形成。

8.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述连接部形成为框状。

9.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述连接部形成为多个插塞的形状。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述铁电膜在俯视时相当于所述连接部的内侧的第一部分的取向性高，而在俯视时相当于所述连接部的上方的第二部分的取向性比所述第一部分的取向性低。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述铁电膜在俯视时的其中心部分的Pb含量最高，而在俯视时的其最外周部分的Pb含量最低，而且Pb含量以从所述中心部分向所述最外周部分逐渐变低的方式分布。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述铁电膜在俯视时的其中心部分的氧含量最高，而在俯视时的其最外周部分的氧含量最低，而且氧含量以从所述中心部分向所述最外周部分逐渐变低的方式分布。

13.一种半导体器件的制造方法，包括：

在半导体衬底的上方形成导电插塞的工序；

以覆盖所述导电插塞上表面的方式形成导电膜的工序；

以覆盖所述导电膜的方式形成层间绝缘膜的工序；

以填埋于所述层间绝缘膜内而与所述导电膜相电连接的方式形成由导电材料构成的连接部的工序；

以使下部电极与所述连接部电连接的方式，在与所述导电插塞的上方相匹配的部位形成电容器结构的工序，其中，所述电容器结构是依次沉积所述下部电极、具有铁电特性的铁电膜以及上部电极而成的，而且

在俯视时包括除了相当于所述层间绝缘膜中的所述导电插塞与所述下部电极之间的区域以外的所述下部电极的周边区域的部位上，形成所述连接部。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括，在形成了所述层间绝缘膜之后，对所述层间绝缘膜的表面进行平坦化处理的工序。

15.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，将所述连接部形成在俯视时位于所述下部电极的所述周边区域内的位置上。

16.根据权利要求15所述的半导体器件的制造方法，由至少包含W或者Cu的导电材料形成所述连接部。

17.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，将所述连接部形成在俯视时横跨包括所述下部电极的所述周边区域的所述下部电极的内外的位置上。

18.根据权利要求17所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，由至少包含TiAlN或者贵金属的导电材料形成所述连接部。