[发明专利]用于半导体存储器的多厚度电介质

摘要

本发明提供一种工艺，所述工艺提供用于存储器阵列和用于与所述存储器阵列在同一衬底上的某些外围电路的具有第一厚度的栅极介电层。高压外围电路具备具有第二厚度的栅极介电层。低压外围电路具备具有第三厚度的栅极介电层。所述工艺为栅极介电层提供保护以免受后续工艺步骤的影响。浅沟槽隔离使存储器阵列单元极小，因此提供高存储密度。

主权项

1.一种在衬底表面上形成非易失性存储器阵列和阵列电路的方法，所述阵列电路包括高压区和低压区，所述非易失性存储器阵列具有浅沟槽隔离结构，所述方法包含：形成覆盖所述表面的第一多个部分的具有第一厚度的第一二氧化硅层；随后在所述衬底的所述表面上形成包括所述表面的第二多个部分的具有第二厚度的第二二氧化硅层，所述第二厚度小于所述第一厚度；在所述第二二氧化硅层上方形成第一多晶硅层；去除所述第一多晶硅层和所述第二二氧化硅层的多个部分，以暴露所述表面的第三多个部分；在所述表面的所述第三多个部分上方形成第三二氧化硅层；和随后在所述表面中形成所述浅沟槽隔离结构。