[发明专利]半导体层叠基板、其制造方法以及发光元件有效
| 申请号： | 200580039647.4 | 申请日： | 2005-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101061571A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 上田和正;西川直宏 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体层叠基板、其制造方法以及发光元件。是具有半导体层的半导体层叠基板，该半导体层包含除了金属氮化物的无机粒子(二氧化硅、氧化铝、氧化锆、二氧化钛、二氧化铈、氧化镁、氧化锌、氧化锡、钇铝石榴石等)，半导体层叠基板的制造方法包括以下的工序(a)和工序(b)，(a)是在基板上配置除了金属氮化物的无机粒子的工序；(b)是使半导体层生长的工序，发光元件包含所述的半导体层叠基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 层叠 制造 方法 以及 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体层叠基板，其中，包括含有除了金属氮化物之外的无机粒子的半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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