[发明专利]用于电化学、电学或形貌分析的传感器无效
| 申请号： | 200580032008.5 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101176167A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | F·B·普林兹;Y·陶;R·J·法斯钦;R·S·格瑞科;K·哈默里克;R·L·史密斯 | 申请（专利权）人： | 利兰·斯坦福青年大学托管委员会 |
| 主分类号： | G12B21/02 | 分类号： | G12B21/02;B82B1/00;G12B21/06;B82B3/00;G01N13/10;H01L21/3065;G01N13/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于进行电学、电化学或形貌分析的传感器和系统，以及制造这些传感器的方法。所述传感器包括悬臂和一个或多个探针，每个探针的尖端具有一个电极。所述探针的尖端是尖锐的，曲率半径约小于50纳米。另外，所述探针具有约大于19∶1的高长宽比。所述传感器适用于原子力显微镜和扫描电化学显微镜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电化学 电学 形貌 分析 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种用于电学、电化学或形貌分析的传感器，该传感器包括：a)具有顶面和底面的悬臂；b)一个或多个探针，所述探针中的每一个具有第一端部和第二端部，所述探针的第一端部具有电极，曲率半径约小于50纳米，所述探针的第二端部与所述悬臂的顶面相连，所述探针的第一端部和第二端部之间的距离与所述探针第二端部的直径之比约大于19∶1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于利兰·斯坦福青年大学托管委员会，未经利兰·斯坦福青年大学托管委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580032008.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种用于微纳显微技术的复合悬臂梁针尖-200920220391.2
- 韩晓东;岳永海;张泽 - 北京工业大学
- 2009-10-30 - 2010-06-30 - G12B21/02
- 本实用新型涉及一种用于微纳显微技术的复合悬臂梁针尖。本实用新型包括底座，悬臂梁和针尖，其特征在于，在底座，悬臂梁和针尖上有一层绝缘介电层，在绝缘介电层上分布4个阻值相等的压敏电阻，其中两个压敏电阻位于底座上，另外两个压敏电阻位于悬臂梁上且平行于悬臂梁的长度方向分布，通过导线将4个压敏电阻连接成一个惠斯通电桥。利用本实用新型的复合悬臂梁针尖将不再使用激光定位测量扫描探针显微镜悬臂梁针尖所发生的微小应变，而是将能够精确测量微小应变的压敏电阻与悬臂梁针尖耦合在一起，测量悬臂梁与样品发生作用时的力学信号，以及静电力的大小，磁场的分布等信息，属于微机械传感器技术领域。
- 带有缩短的弹簧杆的扫描探针显微镜探针-200910127659.2
- T·苏尔兹巴赫;C·里克特 - 纳米世界股份公司
- 2009-03-19 - 2009-09-23 - G12B21/02
- 本发明涉及带有缩短的弹簧杆的扫描探针显微镜探针，所述扫描探针显微镜探针(1)包括支撑元件(2)和弹簧杆(3)，其中，该弹簧杆布置成相对于支撑元件(2)凸出。为此，支撑元件(2)沿纵向具有一细长的凸起(4)，弹簧杆(3)固定在凸起的前端面(12)上，弹簧杆(3)的长度可以高的精度调节。具有凸起(4)的支撑元件(2)防止了在探针(1)倾斜时支撑元件(2)无意放置在试样上。弹簧杆纵向界定的高的精度能够按照所提出的制造方法实现重复制造小的、高频弹簧杆(3)，以实现这种扫描探针显微镜探针。
- 消除静态腐蚀时光纤探针表面蜂窝状粗糙形貌的方法-200810027534.8
- 王周锋;邓文礼 - 华南理工大学
- 2008-04-18 - 2008-10-15 - G12B21/02
- 本发明公开了一种消除光纤探针表面形成的蜂窝状粗糙形貌的方法，通过对经典静态腐蚀方法制备光纤探针的改进，采用二次腐蚀方法可以有效的消除光纤探针表面蜂窝状粗糙形貌，并增大光纤探针锥角，效果十分显著。适合推广应用于近场光学探针、光子扫描隧道显微镜探针的制备，特别有利于减少由于粗糙表面造成的探针性能的降低，有利于提高金属镀膜的性能。本发明为消除静态腐蚀制备光纤探针时探针锥尖表面产生的固有蜂窝状粗糙形貌提供了一种新方法。
- 悬臂组件-200810094453.X
- 汉斯·J·胡格;巴尔特·霍根博姆;萨沙·马丁;杨晋玲 - 纳诺世界股份公司
- 2004-11-04 - 2008-10-15 - G12B21/02
- 一种用于扫描试样(3)的悬臂组件，包括具有一个悬臂尖端(11)的悬臂(10)，所述悬臂(10)安装在一个刚性支座(12、120、121)上，其特征在于，所述支座(12)的附着所述悬臂(10)的部分(120)具有一个凹入形状，所述回缩形状在朝向所述悬臂(10)的方向变窄。
- 全面相消抗温漂扫描探针显微镜探头及其制造方法-200710191139.9
- 陆轻铀 - 中国科学技术大学
- 2007-12-10 - 2008-07-23 - G12B21/02
- 全面相消抗温漂扫描探针显微镜探头特征是以并排站立并固定于基座的左右或左中右压电管作为探针与样品支架并通过匹配它们的长度来抵消热胀冷缩对探针－样品间距的纵向分量的影响，横向热漂移的消除则通过匹配左中右压电管与基座的对称性来实现，从而最大程度地抑制温度漂移。其它优点为：对外震动和声波的减缓、极端物理条件兼容等。上述左右或左中右压电管中至少包含一体或分体设置的一个X定位、一个Y定位和一个Z定位以实现探针相对于样品的三维定位。选定一可Z定位的压电管，还可在其自由端通过弹性体以弹力设置质量块构成压电惯性步进器来实现探针－样品粗逼近。压电管的长度匹配以及与基体对称性的匹配也适用于更多压电管的情形。
- 具有电阻性尖端的半导体探针及其制造方法-200710186767.8
- 高亨守;丁柱焕;洪承范;朴哲民 - 三星电子株式会社
- 2007-11-16 - 2008-05-21 - G12B21/02
- 本发明提供一种具有电阻性尖端的半导体探针以及所述半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：电阻性尖端，其掺有第一杂质，且其顶部掺有低浓度的第二杂质，所述第二杂质与所述第一杂质极性相反，其中在所述电阻性尖端的斜面上形成掺有高浓度第二杂质的第一和第二半导体电极区；形成于所述电阻性尖端上的电介质层；电场屏蔽件，其形成于所述电介质层上，且连同所述电介质层一起在所述电阻性尖端的顶部上形成平面；以及具有末端的悬臂，所述电阻性尖端位于所述末端上。
- 用于电化学、电学或形貌分析的传感器-200580032008.5
- F·B·普林兹;Y·陶;R·J·法斯钦;R·S·格瑞科;K·哈默里克;R·L·史密斯 - 利兰·斯坦福青年大学托管委员会
- 2005-09-23 - 2008-05-07 - G12B21/02
- 提供了用于进行电学、电化学或形貌分析的传感器和系统，以及制造这些传感器的方法。所述传感器包括悬臂和一个或多个探针，每个探针的尖端具有一个电极。所述探针的尖端是尖锐的，曲率半径约小于50纳米。另外，所述探针具有约大于19∶1的高长宽比。所述传感器适用于原子力显微镜和扫描电化学显微镜。
- 具有高分辨率电阻尖端的半导体探针和制造其的方法-200610142809.3
- 丁柱焕;金俊秀;申炯澈;洪承范 - 三星电子株式会社;首尔国立大学校产学协力财团
- 2006-10-26 - 2008-04-30 - G12B21/02
- 本发明公开了一种半导体探针及其制造方法。所述半导体探针包括：用第一杂质掺杂的悬臂；从所述悬臂的一端突出且用第二杂质轻掺杂的电阻尖端；形成于所述电阻尖端的突出部分的两侧上的掺杂控制层；和形成于所述掺杂控制层下且用所述第二杂质重掺杂而形成的第一和第二电极区。
- 具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及其制造方法-200710096631.8
- 丁柱焕;李载泓;申炯澈;金俊秀;洪承范 - 三星电子株式会社;首尔大学校产学协力财团
- 2007-04-19 - 2008-04-23 - G12B21/02
- 本发明提供了一种具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。该半导体探针包括沿交叉悬臂长度方向的第一方向在悬臂上突出到预定高度的突出部分、形成在该突出部分上的浮凸电阻性尖端、和在该突出部分的浮凸电阻性尖端的任一侧形成的第一和第二半导体电极区，其中该悬臂掺杂第一掺杂剂，第一和第二半导体电极区和浮凸电阻性尖端掺杂极性不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂，且浮凸电阻性尖端以低于第一和第二半导体电极区的浓度掺杂。
- 具有楔形电阻性尖端的半导体探针及其制造方法-200710092110.5
- 高亨守;丁柱焕;洪承范;朴弘植;朴哲民 - 三星电子株式会社
- 2007-04-02 - 2008-04-09 - G12B21/02
- 本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。
- 铂—铱针尖的制备方法及其装置-200710009311.4
- 陈招斌;任永强;毛秉伟 - 厦门大学
- 2007-07-31 - 2008-02-06 - G12B21/02
- 铂—铱针尖的制备方法及其装置，涉及一种扫描探针显微镜。提供一种较为简单，可快速、安全地制备铂—铱针尖的方法。设交流电压信号发生电路、功率放大电路、腐蚀电流取样电路、交流信号放大电路、交流有效值转换电路、直流信号放大电路、数据采集电路、制动电路和腐蚀电解池。取Pt－Ir丝经氢焰退火后，一端包封，另一端套在针头上并接工作电极；两根光谱纯碳棒为辅助电极，并平行于Pt－Ir丝并以Pt－Ir丝为对称中心垂直插入腐蚀溶液中；将包封端插入腐蚀溶液中并保持裸露部分在腐蚀溶液中的深度；监视腐蚀电流至Pt－Ir丝浸于腐蚀溶液中的裸露和包封部分交界处断开；继续腐蚀后切断腐蚀回路，控制针尖长宽比。
- 原子力显微分析法中用于检测高频力分量的扭转谐波悬臂-200580029863.0
- C·F·奎特;O·沙欣;O·索尔戈德 - 里兰斯坦福初级大学理事会
- 2005-07-07 - 2007-08-01 - G12B21/02
- 一种用于原子力显微分析法中的悬臂，包括：伸出臂，该伸出臂具有连接到基部部件的固定端和自由端，其中伸出臂具有第一形状和与第一形状相关的扭转轴；和从伸出臂接近自由端处突出的探针尖端，其中探针尖端位于从扭转轴偏移的位置。可选地，伸出臂具有第一形状，选择第一形状以调节选定扭转模式的扭转共振频率或基本模式的基本弯曲共振频率，使得扭转共振频率和基本弯曲共振频率具有整数比例。在这种方式下，扭转谐波悬臂在谐波频率下的扭转运动将被相应的扭转共振大大增强。
- 悬臂组件-200480030683.X
- 汉斯·J·胡格;巴尔特·霍根博姆;萨沙·马丁;杨晋玲 - 瑞士探索股份公司
- 2004-11-04 - 2006-11-29 - G12B21/02
- 一种悬臂组件(1)，包括具有悬臂尖端(11)的一个悬臂(10)。该悬臂安装在一个刚性支座(12、120、121)上，并在其背面设置有高反射率材料的区域(110)，该区域具有向支座(12)倾斜的边缘(111)。区域(110)和边缘(111)向支座的延伸(c，Δc)满足条件c/Δc≥1，其中，c表示高反射率材料的区域(110)在朝向支座(12)的方向上的延伸，而Δc表示高反射率材料的区域(110)的倾斜边缘(111)在朝向支座(12)的方向上的延伸。
- 包括纳米晶须的探针结构、其制造方法以及形成纳米晶须的方法-200480020840.9
- 拉尔斯·伊瓦尔·萨穆埃尔松;比约恩·约纳斯·奥尔松 - 库纳诺公司
- 2004-01-07 - 2006-08-30 - G12B21/02
- 一种用于扫描探针显微镜的探针结构包括从直立的尖端元件(4、26)的自由端部凸出并与尖端元件整体形成的纳米晶须(16、34)。在另一个实施例中，数据存储介质包括纳米晶须(54)阵列，每一纳米晶须由磁性材料形成，纳米晶须的直径使得单个铁磁畴存在于纳米晶须内，优选具有不大于大约25nm的直径且更优选为不大于大约10nm；以及读取/写入结构，该结构包括用于注入自旋极化电子流到阵列的选定纳米晶须中的探针结构，该探针结构或者用于检测纳米晶须中的磁化方向或者用于迫使纳米晶须处入所需磁化方向。当探针纳米晶须使用催化粒子熔融物通过VLS工艺形成时，晶须可以形成一个牺牲区段，用于通过选择性蚀刻区段以去除催化材料。
- 一种扫描电化学和光学显微镜探针及其制备方法-200510022733.6
- 蒋庄德;朱明智;景蔚萱;杨彪 - 西安交通大学
- 2005-12-26 - 2006-06-28 - G12B21/02
- 本发明公开了一种扫描电化学和光学显微镜探针及其制备方法，包括绝缘挡块、与绝缘挡块连为一体的套筒、设置在套筒内的铜管；该铜管内设有光纤，该光纤的一段为穿于绝缘挡块中心的裸光纤；裸光纤的圆周设有电极膜，裸光纤后端电极膜与铜管内壁径向之间设有导电胶和环氧树脂；裸光纤前端的电极膜外设有绝缘膜并延伸至前端的尖端，尖端露出电极膜和光纤本体；其制备方法为：用熔融拉锥工艺将裸光纤一端拉制出圆锥形尖端；以该裸光纤为绝缘基底，采用真空蒸发镀膜工艺沉积上一层金薄膜，然后将其穿过铜管，用银导电胶粘接金薄膜与铜管内壁，用环氧树脂密封铜管两端，接着，采用等离子体增强化学气相沉积工艺在伸出铜管的金薄膜上沉积上一层氮化硅薄膜，之后研磨光纤尖端，使金薄膜和光纤本体露出，最后用套筒和挡块进行封装，并用环氧树脂密封挡块中心的间隙。
- 扫描探针显微镜传感器-200510131720.2
- O·克劳泽;C·勒雷尔;S·彼得森 - 纳米世界股份公司
- 2005-12-13 - 2006-06-21 - G12B21/02
- 本发明涉及用于扫描探针显微镜的带有悬臂(3)、在悬臂(3)的一端的保持元件(2)和在悬臂(3)的另一端的传感器尖端(4)的SPM传感器(1)，并且涉及用于生产这种传感器的方法。EBD结构(5)直接锚定在传感器尖端(4)的基底内。对EBD结构(5)的锚定用正性接合和非正性接合而发生在处于传感器尖端(4)内的孔(6)内，该孔(6)通过在传感器尖端(4)的基底内进行材料去除而得以创造。在通过光刻构造和随后的蚀刻过程或通过由粒子束而进行材料移除之后，方法设想了通过在传感器尖端的孔内由粒子束产生的材料沉积而创造EBD结构。
- 制造具有电阻尖端的半导体探针的方法-200510092308.4
- 朴哲民;朴弘植;高亨守;洪承范 - 三星电子株式会社
- 2005-08-26 - 2006-04-05 - G12B21/02
- 本发明涉及一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在硅基板上形成具有矩形形状的第一和第二掩模膜；第一次蚀刻硅基板的上表面；通过蚀刻第一掩模膜形成相应于尖端颈部宽度的第三掩模膜；通过利用第三掩模膜作为掩模第二次蚀刻硅基板形成尖端颈部的宽度到预定的宽度；且在去除第三掩模膜之后通过退火硅基板形成峰形成部分。可以制造具有均匀高度和尖端颈部具有均匀宽度的半导体探针。
- 具有电阻尖端的半导体探针及其制造方法-200510092417.6
- 朴弘植;白庚录;丁柱焕;高亨守;朴哲民;洪承范 - 三星电子株式会社
- 2005-08-18 - 2006-03-15 - G12B21/02
- 提供了一种具有电阻尖端的半导体探针以及该半导体探针的制造方法。所述方法包括：在掺杂了第一杂质的衬底上形成条形的掩模层，并通过用第二杂质重掺杂没有被该掩模层覆盖的衬底部分而形成第一和第二电极区；退火所述衬底从而减小第一和第二半导体电极区之间的间隙，并且在与半导体电极区邻接的部分形成轻掺杂了第二杂质的电阻区；形成与掩模层正交的条形的第一光致抗蚀剂，并且蚀刻掩模层使得掩模层具有正方形形状；在衬底上形成第二光致抗蚀剂从而覆盖第一光致抗蚀剂的一部分并限定悬臂区域；通过蚀刻而形成悬臂区域；以及去除光致抗蚀剂，并且通过蚀刻而形成具有半四棱锥形状的电阻尖端。
- 专利分类
