[发明专利]硅片及其制造方法，以及硅单晶的培育方法有效
| 申请号： | 200580028656.3 | 申请日： | 2005-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101006206A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 宝来正隆;杉村涉;小野敏昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社上睦可 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20;H01L21/322;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 该硅片是在含氢的惰性气氛下通过CZ法培育的，是在晶片厚度方向整个区域上、结晶直径方向的整个区域上不含COP和位错簇的完全无生长引入的缺陷的晶片，且晶片整个区域由晶格间硅优势区域构成。该硅单晶培育方法通过在含氢的惰性气氛中提拉硅单晶，扩大PI区域提拉速度的范围，通过在这种PI区域提拉速度范围内进行提拉，使单晶柱体部分成为晶格间硅优势区域。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 及其 制造 方法 以及 硅单晶 培育 | ||
【主权项】：
1.硅片，其特征在于，该硅片是在含氢的惰性气氛下通过CZ法培育的，在晶片厚度方向整个区域成为结晶直径方向的整个区域上不合COP和位错簇的完全无生长引入的缺陷的晶片，且晶片整个区域由晶格间硅优势区域构成。
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