[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器有效
申请号: | 200580021668.3 | 申请日: | 2005-06-16 |
公开(公告)号: | CN1977383A | 公开(公告)日: | 2007-06-06 |
发明(设计)人: | 李仑政 | 申请(专利权)人: | 安太科技株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种互补金属氧化物半导体图像传感器。根据本发明,所述互补金属氧化物半导体图像传感器包括:二维像素阵列(110)、行解码器(130)和列解码器(150)。所述二维像素阵列(110)包括各具有宽长比为1∶2的矩形单位像素。所述行解码器(130)设置于所述像素阵列的一侧以指定行地址。所述列解码器(150)设置于所述像素阵列的另一侧以垂直于所述行解码器并用于从由所述行解码器所选择的行中提取各自像素的数据、放大所提取的数据并生成包括像素值的图像数据。因此,与具有规则四边形单位像素的图像传感器相比较,本发明的优点在于其能容易地执行插值。 | ||
搜索关键词: | 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器,包括:二维像素阵列,其包括各具有宽长比为1∶2的矩形单位像素;设置于所述像素阵列的一侧以指定行地址的行解码器;以及设置于所述像素阵列的另一侧以与所述行解码器垂直的列解码器,其用于从由所述行解码器所选择的行中提取各自像素的数据、放大所提取的数据并产生包括像素值的图像数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的