[发明专利]在本征半导体和欧姆接触之间具有P掺杂半导体的有机肖特基二极管无效
| 申请号： | 200580013066.3 | 申请日： | 2005-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1947273A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李子成;迈克尔·A·哈斯;保罗·F·博德 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种包括多晶有机半导体层的有机肖特基二极管，其中所述多晶有机半导体层的一侧具有整流接触。在所述的多晶有机半导体层的另一侧具有非晶掺杂半导体层，其作为半导体层和欧姆接触层之间的缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 欧姆 接触 之间 具有 掺杂 有机 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，包括：多晶有机半导体层；在所述有机半导体层的第一表面上的整流接触；与所述有机半导体层的第二表面相接触的掺杂缓冲层，所述掺杂缓冲层由非晶掺杂有机半导体形成；以及所述掺杂缓冲层的欧姆接触。
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