[发明专利]半导体光检测元件及其制造方法

摘要

本发明的半导体光检测元件(PD1)具有多层构造体(LS1)和对于入射光为光学透明的玻璃基板(1)。多层构造体包括被积层的蚀刻停止层(2)、n型的高浓度载体(carrier)层(3)、n型的光吸收层(5)及n型的盖(cap)层(7)。在多层构造体的第1主面(101)附近形成有受光区域(9)，在第1主面上设置有第1电极(21)。在第2主面(102)上设置有第2电极(27)及第3电极(31)。在第1主面上形成有覆盖受光区域及第1电极的膜(10)。在该膜的表面(10a)固定有玻璃基板(1)。

主权项

1.一种半导体光检测元件，其特征在于，具有：包括被积层的多个化合物半导体层，且具有互相对向的第1及第2主面的多层构造体；在所述多层构造体内部形成在所述第1主面附近的受光区域；配置在所述多层构造体的所述第1主面上，且电气连接于所述受光区域的第1电极；配置在所述多层构造体的所述第2主面上，且电气连接于所述第1电极的第2电极；配置在所述多层构造体的所述第2主面上，且电气连接于所述多层构造体中的所述第2主面附近部分的第3电极；及配置在所述多层构造体的所述第1主面上，且覆盖所述受光区域及所述第1电极，并对于入射光为光学透明的光透过层。