[发明专利]碳化硅(SiC)单晶的制造方法以及通过该方法得到的碳化硅(SiC)单晶无效
| 申请号： | 200580005839.3 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1922346A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 北冈康夫;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;川原实 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C01B31/36;C30B9/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种可以以低成本制造大型的碳化硅(SiC)单晶的制造方法。通过将硅(Si)和碳(C)溶解在碱金属助熔剂中并使它们反应，使碳化硅单晶生成或生长。作为上述碱金属，优选为锂(Li)。根据该方法，即使是在例如1500℃以下的低温条件下，也可以制造碳化硅单晶。将通过本发明的方法得到的碳化硅单晶的一个例子显示在图3(B)的照片上。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 sic 制造 方法 以及 通过 得到 | ||
【主权项】：
1、一种碳化硅(SiC)单晶的制造方法，通过将硅(Si)和碳(C)溶解在碱金属助熔剂中并使它们反应，从而使碳化硅单晶生成或生长。
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