[发明专利]碳化硅(SiC)单晶的制造方法以及通过该方法得到的碳化硅(SiC)单晶无效
| 申请号： | 200580005839.3 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1922346A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 北冈康夫;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;川原实 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C01B31/36;C30B9/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 sic 制造 方法 以及 通过 得到 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学，未经松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200580005839.3/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
