[发明专利]氮化镓半导体装置的封装

摘要

一种封装的半导体装置，特别是氮化镓半导体结构，包括：下半导体层和位于所述下半导体层的一部分之上的上半导体层。该半导体结构包括从下层向上凸起的多个台，每个台包括上层的一部分并限定上触点平面，该上触点表面与所述多个台被所述下触点表面的一部分分开。该装置还包括模安装支撑物，其中，模的底部表面被附着于模安装支撑物的顶部表面；从支撑物伸出的多个隔开的外部导体，至少一个所述隔开的外部导体在其一端具有接合线柱；具有接合线，其在接合线柱和多个台的顶部表面的触点区域之间延伸。

主权项

1、一种半导体装置，包括：半导体模，其具有包括下半导体层和位于所述下半导体层的一部分之上的上半导体层的顶部表面；和与所述顶部表面相对的底部表面，其中所述下半导体层和所述上半导体层具有相同的导电性类型，所述下半导体层比所述上半导体层被更重地掺杂，所述半导体模包括从所述下触点表面向上凸起的多个台，所述多个台的每一个包括所述上层的一部分并限定上触点表面，该上触点表面与所述多个台的相邻的上触点表面被所述下触点表面的一部分分开；模安装支撑物，其中，所述模的底部表面被附着于所述模安装支撑物的顶部表面；外壳，围住所述半导体模和模安装支撑物；从所述外壳伸出的多个隔开的外部导体，至少一个所述隔开的外部导体在其一端具有接合线柱；和第一接合线，其在所述接合线柱之一和所述多个台所共有的第一触点区域之间延伸。