[发明专利]一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法在审
| 申请号： | 200510126289.2 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1851049A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 孙静 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 司君智 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅栅刻蚀方法，其步骤如下：(1)初刻前刻蚀步骤；(2)初刻；(3)主刻；(4)过刻。其中初刻前刻蚀步骤在硬掩膜刻蚀后、多晶硅刻蚀前进行，用SF6或NF3作为反应气体，或者包括选自CxHyFz、Cl2、O2中的一种或几种气体。本发明的刻蚀方法可以很好的去除光胶在硅表面的聚合物残留，从而减小了其对线条粗糙度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 线条 粗糙 多晶 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅刻蚀方法，其步骤如下：(1)初刻前刻蚀、(2)初刻、(3)主刻和(4)过刻，其中步骤(1)中所用工艺气体为SF6或NF3。
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- 尹海涛 - 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 2006-09-19 - 2008-03-26 - C23F1/12
- 本发明公开了一种硅片刻蚀方法，用于对硅片进行刻蚀，包括初刻、主刻、过刻三个步骤，主刻步骤中采用的工艺气体包括CHF3、O2及SF6的混合气体。混合气体在蚀刻工艺中的流速为10－500sccm、压力为4－100mT。主刻过程中上射频电源SFR将充入反应腔室的混合气体电离成等离子体，下射频电源BFR对等离子体进行加速，轰击硅片表面，其中，F*自由基与Si发生反应生成SiFx；SiFx被混合气体中的O2氧化成SiOxFy，附着在刻蚀槽的侧壁上，在侧壁上形成保护层，使刻蚀槽侧壁光滑、刻蚀的结构特征明显、边缘平整。该方法可适用于线宽小于90nm的多晶硅层刻蚀，也可用于其它硅片的刻蚀。
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