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[实用新型]具有雾化效率监测功能的纯水雾化系统、ICP刻蚀机-CN202223106552.X有效
发明人：庄佳伟;卢浩;陈兆超;朱小庆;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B05B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有雾化效率监测功能的纯水雾化系统，包括水流量计、雾化器、第一进水管路、第一进水阀门、第一蒸气管路、第二蒸气管路、第一截止阀门、第二截止阀门、水雾容器和水蒸气检测单元；水流量计的出口通过第一进水管路与雾化器的进水端连接，对进入雾化器的纯水流量进行检测；第一进水阀门安装在第一进水管路上；雾化器通过第一蒸气管路与气室连接，第一截止阀门安装在第一蒸气管路上；雾化器通过第二蒸气管路与水雾容器连接，第二截止阀门安装在第二蒸气管路上；水蒸气检测单元安装在水雾容器内，对水雾容器内的水蒸气参数进行检测。本实用新型能够确保晶圆表面的PR胶去除工艺质量，有效提高晶圆生产成功率。
具有雾化效率监测功能纯水系统 icp 刻蚀

[实用新型]一种金属刻蚀中陶瓷介质窗匀温装置、金属刻蚀系统-CN202220514523.8有效
发明人：周赛赛;桑康;马兵;陈兆超;彭泰彦;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属刻蚀中陶瓷介质窗匀温装置，匀温装置包括散热装置、聚流道、引流道和紧固件；散热装置安装在屏蔽罩内，用于产生冷却介质；聚流道竖直安装在屏蔽罩正下方，其沿延伸方向具有第一端部和第二端部，第一端部与散热装置装置，第二端部与引流道连接，聚流道和引流道共同构成冷却介质的传输通道；引流道平铺在铜螺旋管和陶瓷介质窗之间，且铜螺旋管和陶瓷介质窗通过紧固件固定连接。本实用新型能够将散热装置产生的冷却介质引至陶瓷介质窗中心后再逐渐向四周扩散，达到了良好的匀温效果；并且整体结构简单，经过测试有效地延长了MTBC。
一种金属刻蚀陶瓷介质窗匀温装置系统

[发明专利]一种刻蚀方法-CN202110925686.5在审
发明人：马兵;彭泰彦;车东晨;叶联;陈兆超;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种刻蚀方法，该方法包括：提供一晶圆，晶圆第一侧表面具有光刻胶层；将晶圆置于刻蚀腔体内，刻蚀腔体具有偏压电源，用于输出偏压信号；在刻蚀腔体中形成等离子体；调节偏压电源的功率，通过偏压电源输出的偏压信号带动等离子体运动，对光刻胶层进行刻蚀。由于利用等离子体进行刻蚀时，偏压电源功率不同时，偏压信号带动等离子体沿平行于晶圆第一侧表面的刻蚀速率与垂直于晶圆第一侧表面的刻蚀速率之间的比值不同，从而可以通过调节偏压电源的功率，控制等离子体对光刻胶层的刻蚀，能够有助于将光刻胶层刻蚀为特定形貌，进而使得所述刻蚀方法有助于将光刻胶层刻蚀为特定形貌。
一种刻蚀方法

[发明专利]一种铌酸锂衬底上金属层的刻蚀方法-CN202110948247.6在审
发明人：叶联;彭泰彦;车东晨;陈兆超;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C23F1/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种铌酸锂衬底上金属层的刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：将待处理晶圆放置于刻蚀腔内，所述待处理晶圆包括：铌酸锂衬底，位于所述铌酸锂衬底一侧表面的金属层；位于所述金属层背离所述铌酸锂衬底一侧表面的导电保护层；刻蚀所述导电保护层；基于刻蚀后的所述导电保护层，逐步对所述待处理晶圆中金属层进行多次刻蚀处理；其中，相邻两次所述刻蚀处理之间包括对所述待处理晶圆进行冷却处理。应用本发明技术方案，提高了成品率/良率。
一种铌酸锂衬底金属刻蚀方法

[发明专利]真空晶圆传输通道及其维护方法、半导体设备-CN202110764354.3在审
发明人：朱小庆;郭颂;卢浩;陈兆超;张怀东;张亦涛;胡冬冬;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空晶圆传输通道及其维护方法、半导体设备，半导体设备包括工艺腔体、机械手腔体和传输通道，其中传输通道连接在机械手腔和工艺腔体之间，机械手腔体内的机械手可穿过传输通道至工艺腔体内拿取或者放置晶圆，传输通道包括：第一侧板和第二侧板，第一侧板和工艺腔体相连，第二侧板和机械手腔体相连；外套件和中空的内插件，外套件设在第一侧板和第二侧板的彼此朝向的一侧的其中一个上，内插件设在第一侧板和第二侧板的彼此朝向的一侧的其中一个上，内插件在外套件内滑动插接配合；密封圈，密封圈设在内插件和外套件之间，用以密封内插件和外套件之间的间隙。根据本发明的半导体设备的真空晶圆传输通道，操作方便，节约成本。
真空传输通道及其维护方法半导体设备

[发明专利]真空晶圆传输通道及其维护方法、半导体设备-CN202110764355.8在审
发明人：郭颂;朱小庆;刘海洋;陈兆超;张怀东;张亦涛;胡冬冬;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空晶圆传输通道以及维护方法、半导体设备，半导体设备包括工艺腔体、机械手腔体和传输通道，其中传输通道连接在机械手腔和工艺腔体之间，机械手腔体内的机械手可穿过传输通道至工艺腔体内拿取或者放置晶圆，传输通道包括：第一侧板和第二侧板，第一侧板和工艺腔体相连，第二侧板和机械手腔体相连；弹性伸缩腔体，第一侧板和第二侧板分别设在弹性伸缩腔体的两个开口端，在第一侧板和第二侧板相对的方向上弹性伸缩腔体可伸长和收缩。根据本发明的真空晶圆传输通道，通过在第一侧板和第二侧板之间设置可以伸缩的弹性伸缩腔体，利用弹性伸缩腔体的可伸缩性，对传输通道和工艺腔体进行分离，操作方便，节约成本，安装精度低。
真空传输通道及其维护方法半导体设备

[发明专利]一种真空环境下自动切换透光玻璃机构及工作方法-CN202110691084.8在审
发明人：卢浩;陈兆超;朱小庆;许开 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空环境下自动切换透光玻璃机构，包括密封腔、光路、玻璃圆盘和旋转机构；所述光路和所述玻璃圆盘均布设在所述密封腔中；所述光路轴向的一端连接真空腔体，所述光路轴向的另一端连接测光部；所述玻璃圆盘的盘面中心固定连接所述旋转机构；所述玻璃圆盘的盘面上布设有多个透光工位，所述多个透光工位绕盘面中心呈圆周状且间隔布置，所述多个透光工位均靠近所述玻璃转盘的外边缘布置；通过所述旋转机构带动所述玻璃圆盘旋转，所述光路中的光束依次穿过多个透光工位；通过在玻璃圆盘上设置多个个让光路穿过的透光工位，避免了由于透光性衰减带来光强信号偏差性，提高采集到的光强信号准确性。
一种真空环境自动切换透光玻璃机构工作方法

[发明专利]晶圆冷却装置-CN202110615144.8在审
发明人：郭颂;朱小庆;卢浩;陈兆超;程实然;张怀东;胡冬冬;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆冷却装置，包括：冷却腔体，限定出真空环境的冷却腔室，晶圆容纳在冷却腔室内，冷却腔体的底部边缘处设有充气进口和抽气管道，充气进口和抽气管道分别与冷却腔室相连通，冷却气体通过充气进口进入冷却腔室内以对晶圆上表面进行冷却，且冷却后气体通过抽气管道被抽出；冷却承载台，冷却承载台位于冷却腔室内用于承载晶圆；升降装置，升降装置连接在冷却承载台上，升降装置包括：顶升件，顶升件固定在顶升件固定座上，顶升件穿过冷却承载台的中部适于顶起冷却承载台上的晶圆；驱动件，驱动件与顶升件固定座相连以驱动顶升件固定座和顶升件上升或下降。根据本发明实施例的晶圆冷却装置，提升晶圆表面的冷却效率，降温速度加快。
冷却装置

[发明专利]晶圆冷却装置和半导体产线设备-CN202110615145.2在审
发明人：郭颂;朱小庆;卢浩;陈兆超;程实然;张怀东;胡冬冬;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆冷却装置，包括：冷却腔体，冷却腔体限定出真空环境的冷却腔室；冷却块，冷却块内限定出冷却通道，冷却块上设有进液管和出液管，进液管和出液管分别与冷却通道相连通；在上下方向上依次叠放有多个支撑盘，每个支撑盘均固定连接在冷却块的前侧，每个支撑盘上均可支撑放置晶圆，每个支撑盘具有导热性且可将晶圆的热量传导至冷却块上；冷却块和多个支撑盘均位于冷却腔室内。根据本发明实施例的晶圆冷却装置，通过采用在冷却块中通入冷却液的冷却方式对支撑盘上的晶圆进行冷却，提高对晶圆的冷却效率；通过在冷却腔室内采用多层支撑盘的结构，可以同时对多个晶圆进行冷却，这样可以提高冷却操作效率，提升工作效率。
冷却装置半导体设备

[发明专利]一种用于干法去胶后清除残胶的方法-CN202110505739.8在审
发明人：叶联;彭泰彦;车东晨;陈兆超;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于干法去胶后清除残胶的方法，采用在晶圆与热台不接触结合接触(Pin Up结合Pin down模式)的方式，优化了工艺过程，开始时向刻蚀腔体内通入水和氧气不加上射频来起到软化胶的作用，之后向刻蚀腔体内通入水同时启动微波源，射频功率会影响胶的软化效果，最后关闭微波源，继续向刻蚀腔体内通入水、氧气和氮气，重复操作，即可完成去胶。本发明能够在大规模集成电路工业制造环境下应用，是通过改变干法去胶过程中晶圆与热台的接触在微波源射频功率作用下去胶，以及晶圆与热台不接触模式无射频功率软化胶，和制造过程中的优化方法。实验结果显示，晶圆表面残胶被完全去除干净，效果相当明显。
一种用于干法去胶后清除方法

[发明专利]一种高压线路传输装置-CN201811439946.2有效
发明人： 陈兆超;李娜;程实然;侯永刚;刘海洋;邱勇;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种高压线路传输装置，包括旋转接头定子(1)、旋转接头转子(2)、高压线路(3)、密封体转子(4)、密封体定子(5)、静电卡盘支座(6)、高压插针座(9)、高压插针(10)、高压线引线槽(11)和密封槽(12)，密封体转子(4)为中空结构，高压线路(3)通过旋转接头的转子(2)，从密封体转子(4)和密封体定子(5)中穿过引入静电卡盘支座(6)后，经由高压引线槽(11)连接固定在高压插针(10)上，高压插针(10)通过螺纹固定安装在高压插针座(9)上。本发明易于装配维护，并且高压线路的布局更加合理，能够有效减少设备异常情况发生。
一种高压线路传输装置

[发明专利]一种真空腔室-CN201811523752.0有效
发明人：刘海洋;邱勇;侯永刚;王铖熠;李娜;陈兆超;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种真空腔室，包括：腔室主体(1)、内衬(2)和异型门阀(3)，腔室主体(1)的一个面(12)设有第一开口(11)，内衬(2)设置于腔室主体(1)内，在与第一开口(11)相应的位置设置有第二开口(21)，异型门阀(3)包括挡板(4)、水平推杆(5)、竖直推杆(6)和阀座(7)，挡板(4)的水平和竖直运动分别由水平推杆(5)和竖直推杆(6)控制，挡板(4)和水平推杆(5)之间、水平推杆(5)和竖直推杆(6)之间均采用真空波纹管连接，异型门阀(3)通过阀座(7)安装在面(12)的第一开口(11)下方，通过开启或关闭挡板(4)使第一开口(11)和第二开口(21)暴露或封闭。
一种空腔

[实用新型]等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置-CN202123193515.2有效
发明人：郭颂;王铖熠;刘海洋;李娜;张怀东;陈兆超;胡冬冬;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置。半导体终点检测观察窗装置，包括光路管以及安装在光路管后端的透明观察窗组件，所述光路管在紧靠着前端的位置处配装有透明活动观察窗承接组件，所述透明活动观察窗承接组件中设置有透明活动观察窗组件；所述的透明活动观察窗组件包括透明活动观察窗，所述透明活动观察窗相对于光路管的透光位置可调。因此，本实用新型解决了频繁停产更换观察窗影响产能的问题。
等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置

[发明专利]一种可动多离子源配置的离子束刻蚀机-CN201910875474.3有效
发明人：胡冬冬;李娜;许开东;陈兆超;邱勇;程实然;车东晨;侯永刚 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种可动多离子源配置的离子束刻蚀机，属于半导体刻蚀技术领域。可动多离子源配置的离子束刻蚀机，该刻蚀机包括反应腔体，该反应腔体上设有窗口，反应腔体的中心处布置电极运动驱动机构，电极运动驱动机构上设有载片电极，载片电极上放置晶圆；反应腔体内位于晶圆的上方设有一个或多个离子源；一个或多个离子源与晶圆之间布置分别布置中和器；一个或多个离子源所发出的离子束通过中和器所发出的中和束流。采用多离子源及其活动功能的配置可以在晶圆自身取消公转后实现晶圆表面接收到的离子数量最大程度的相同，提高晶圆表面刻蚀的均匀性。同时可以根据刻蚀的结果，随时调整离子源的位置，实现刻蚀过度或刻蚀不足部位的灵活调整性。
一种可动多离子源配置离子束刻蚀

[发明专利]一种等离子体刻蚀设备及其鞘层电压的测量方法-CN201811639715.6有效
发明人：刘小波;李雪冬;车东晨;邱勇;陈兆超;陈璐;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体刻蚀设备及其鞘层电压的测量方法，能够简单准确地测量等离子体刻蚀设备的鞘层电压。该等离子体刻蚀设备，包括：设置在反应腔室内的静电吸盘，用于放置待刻蚀工件；静电吸盘包括至少一组电极对，每组电极对包括第一电极和第二电极；各电极对的表面被绝缘介质覆盖；每个第一电极与一个输出电压可调的第一直流电压源相连；每个第二电极与一个输出电压可调的第二直流电压源相连；第一电极连接第一直流电压源的回路中还串联有第一电阻，第二电极连接第二直流电压源的回路中还串联有第二电阻；第一直流电压源和第二直流电压源输出电压的极性相反。反应腔室中还设置有电压测量装置，用于测量每个第一电阻或第二电阻上的电压。
一种等离子体刻蚀设备及其电压测量方法

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