[发明专利]制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件无效
| 申请号： | 200510119979.5 | 申请日： | 2005-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1758419A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 荒木正浩;山田英司;汤浅贵之;津田有三;阿久津仲男 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社;大阳日酸株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造氮化物半导体的装置，其通过在衬底上扩散包含III族元素的源气体和V族元素的源气体来结晶生长氮化物半导体。与衬底平行和从上游到下游来扩散气体。装置具有容纳在装置中的衬底以及用于允许气体流到流动通道中的流动通道。装置也有在流动通道的内壁上提供的多个突起。在气流的上游部分并且以水平方向提供一种用于使III族元素的源气体和V族元素的源气体分别引入到流动通道中的隔离物。在隔离物的上表面和下表面上形成突起。利用该结构，在供应源气体之前，使III族元素的源气体和V族元素的源气体更均匀地混合。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化物 半导体 装置 方法 获得 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造氮化物半导体的装置，其通过扩散包含III族元素的源气体和包含V族元素的源气体在衬底上结晶生长所述氮化物半导体，所述气体的扩散与所述衬底平行并且从上游到下游，所述装置包括：容纳所述衬底并用于使所述气体流到流动通道中的流动通道；以及形成在所述流动通道内壁上的多个突起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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