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[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN202111551835.2在审
发明人：藤本贵久;浅谷刚;足立大辅;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：提供一种可以实现图案化的工艺的简略化并抑制性能降低的太阳能电池的制造方法。一种太阳能电池的制造方法，包含如下工序：层材料膜形成工序，在主面侧具有微细的凹凸结构的半导体基板(11)的主面侧形成第1半导体层的材料膜(25Z、23Z)；抗蚀剂形成工序，在半导体基板(11)的主面侧的一部分区域中的第1半导体层的材料膜(25Z、23Z)上，形成抗蚀剂(90)；层形成工序，以抗蚀剂(90)为掩模，在一部分区域形成图案化后的第1半导体层。抗蚀剂形成工序中，使用图案印刷法，印刷包含树脂材料(91)和无机材料(92)的印刷材料并使其固化，从而形成抗蚀剂(90)，无机材料(92)的主成分粒子为扁平形状，主成分粒子的最大粒子长度比凹凸结构的最短顶点距离大。
太阳能电池制造方法

[发明专利]多接合型光电转换装置和光电转换模块-CN201680056492.3有效
发明人：宇津恒;日野将志;市川满;三岛良太;目黑智巳;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明涉及的多接合型光电转换装置(110)从受光面侧起依次具有第一光电转换单元(1)、中间层(3)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元含有钙钛矿型晶体结构的感光性材料作为光吸收层(11)，在光吸收层的受光面侧具有第一电荷传输层(12)，在光吸收层的背面侧具有第二电荷传输层(13)。第二电荷传输层与中间层相接。第二光电转换单元包含晶体硅基板作为光吸收层(21)，并且具有与中间层相接的第一导电型半导体层(23a)。第二电荷传输层(13)的折射率n1、第一导电型半导体层(23a)的折射率n2以及中间层3的平均折射率n满足n1＜n＜n2、n2‑n1≥0.7以及
接合光电转换装置模块

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201680004706.2有效
发明人：河崎勇人;吉河训太;中野邦裕;小西克典;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：太阳能电池在晶体硅基板的第一主面上具有n型半导体层(6)及p型半导体层(7)。n型半导体层以横跨设置有p型半导体层的p型半导体层形成区域上的一部分和未设置p型半导体层的p型半导体层非形成区域的方式设置。在p型半导体层形成区域上的设置有n型半导体层的区域中，在p型半导体层和n型半导体层之间设置有保护层(8)。保护层具备与p型半导体层相接设置的基底保护层(8b)和设置于基底保护层上的绝缘层(8a)。基底保护层包含本征硅基层及n型硅基层的任一种。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]带导电层的基板、触摸面板用带透明电极的基板及它们的制造方法-CN201680008183.9有效
发明人：藤本贵久;玉井仁;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供可提高防晃眼特性和蚀刻特性这两者的带导电层的基板、其制造方法、触摸面板用带透明电极的基板。一种带导电层的基板(Fa)，其是在透明膜基板(1)的至少单面上依次形成有薄膜基底层(2)、金属氧化物层(3)和第1金属层(4)的带导电层的基板，其特征在于，上述薄膜基底层(2)是以镍及铜或它们的氧化物作为主要成分的层，上述金属氧化物层(3)是以镍和铜的氧化物作为主要成分的层，第1金属层(4)是以金、银、铜中的至少1种作为主要成分的层，满足下述的关系式(1)～(3)：(1)上述薄膜基底层(2)的膜厚为20nm以下，(2)上述金属氧化物层(3)的膜厚为80nm以下，(3)上述薄膜基底层(2)的膜厚≤上述金属氧化物层(3)的膜厚。
导电触摸面板透明电极它们制造方法

[发明专利]光伏装置-CN201780063287.4在审
发明人：中野邦裕;宇津恒;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2017-10-04 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本公开所涉及的光伏装置具备：聚光光学系统，其产生色像差；第一光电转换部，其被配置在上述聚光光学系统的光轴上；以及第二光电转换部，其在从上述聚光光学系统的光轴方向观察时被配置在上述第一光电转换部的外周侧，并且具有比上述第一光电转换部的带隙低的带隙，第一光电转换部被配置在与基于带隙决定的能够吸收的最长波长光的聚光区域外接的矩形的内侧。
光电转换部聚光光学系统带隙光伏装置配置光轴方向聚光区域最长波长色像差光轴外接外周观察吸收

[发明专利]太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块-CN201780057282.0在审
发明人：中野邦裕;吉河训太;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：太阳能电池(100)具备半导体基板，该半导体基板具有光电转换部(10)、第一电极(20)以及第二电极(30)，上述半导体基板的厚度为70μm以上且200μm以下，在上述半导体基板中的至少一个主表面的端部具有削痕，上述削痕的沿着上述半导体基板的侧边的最大长度为45μm以下，所述半导体基板不具有因激光的照射而产生的刻痕。太阳能电池(100)能够抑制填充因子的降低。
半导体基板太阳能电池太阳能电池模块光电转换部第二电极第一电极填充因子主表面侧边刻痕照射激光制造

[发明专利]带有透明电极的基板及其制造方法-CN201580003181.6有效
发明人：口山崇;早川弘毅;上田拓明;元原裕二;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供可以同时实现促进热处理时的结晶化和抑制常温环境下的结晶化的带有透明电极的基板。带有透明电极的基板是在膜基板(100)上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜(300)。在上述膜基板(100)与上述透明电极薄膜(300)之间形成了含有金属氧化物作为主成分的基底层(200)。上述基底层(200)与上述透明电极薄膜(300)相接触。上述透明电极薄膜(300)为非晶质，上述基底层(200)为介电体且为结晶质。 1
透明电极薄膜透明电极基底层基板结晶化膜基板金属氧化物透明导电性热处理常温环境非晶质结晶质介电体氧化物制造

[发明专利]带有透明电极的基板及其制造方法-CN201380006560.1有效
发明人：口山崇;早川弘毅;上田拓明;藤本贵久;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有透明电极的基板，该基板在透明膜基材的至少一面具有透明电极层。透明膜基材在透明电极层侧的表面具有以氧化物为主成分的透明电介质层。在一个实施方式中，透明电极层为结晶度为80％以上的结晶质透明电极层。在该实施方式中，结晶质透明电极层的电阻率为3.5×10^‑4Ω·cm以下，膜厚为15nm～40nm，氧化铟的含量为87.5％～95.5％，载流子密度为4×10²⁰/cm³～9×10²⁰/cm³，且优选带有透明电极的基板的利用热机械分析测定的热收缩起始温度为75℃～120℃。
带有透明电极及其制造方法

[发明专利]带透明电极的基板及其制造方法-CN201380066868.5有效
发明人：早川弘毅;口山崇;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供带透明电极的基板及其制造方法，带透明电极的基板(100)在透明薄膜基板(10)上具备非晶透明电极层(20)。非晶透明电极层(20)在被施加了0.1V的偏压的情况下，具有50个/μm²以上的在加电压面的电流值为50nA以上且连续的面积为100nm²以上的区域。在一实施方式中，非晶透明电极层(20)的氧化锡的含量大于8质量％且小于16质量％。在另一实施方式中，非晶透明电极层(20)的氧化锡的含量为6.5质量％～8质量％。本发明的带透明电极的基板能够通过短时间的加热实现透明电极层的结晶化。
透明电极及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块-CN201280035808.2有效
发明人：足立大辅;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明的太阳能电池具有光电转换部（50）和集电极（70）。光电转换部（50）具有第一主面和第二主面，集电极（70）形成在光电转换部（50）的第一主面上。集电极（70）从光电转换部（50）侧依次包含第一导电层（71）和第二导电层（72），且在第一导电层（71）与上述第二导电层（72）之间包含绝缘层（9）。在绝缘层（9）设有开口，介由设置于绝缘层（9）的开口导通第一导电层（71）和第二导电层（72）。在本发明的太阳能电池中，在光电转换部的第一主面、第二主面或侧面具有除去了光电转换部的表面背面的短路的绝缘区域，绝缘区域表面的至少一部分被绝缘层覆盖。
太阳能电池及其制造方法以及模块

[发明专利]带有透明电极的基板及其制造方法以及触摸面板-CN201180069501.X有效
发明人：上田拓明;藤本贵久;近藤晃三;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明的带有透明电极的基板（100）在透明膜基板（1）的至少一面依次具有：以SiOx为主要成分的第一电介质层（21）、以金属的氧化物为主要成分的第二电介质层（22）、以SiOy为主要成分的第三电介质层（23）、及透明电极层（4）。透明电极层（4）被图案化为电极层形成部（4a）与电极层非形成部（4b）。透明电极层（4）是以铟-锡复合氧化物为主要成分且膜厚为20nm～35nm的层。上述第一电介质层的折射率n1、上述第二电介质层的折射率n2、及上述第三电介质层的折射率n3满足n3＜n1＜n2的关系。第一电介质层（21）、第二电介质层（22）及第三电介质层（23）具有规定的膜厚。
带有透明电极及其制造方法以及触摸面板

[发明专利]太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块-CN201280003725.5有效
发明人：足立大辅;山本宪治;乔斯·路易斯埃尔南德斯;尼克·巴尔克斯 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块。本发明的太阳能电池在光电转换部（50）的一个主面上具有集电极（7）。集电极（7）从光电转换部（50）侧依次包含第一导电层（71）和第二导电层（72），且在第一导电层（71）与上述第二导电层（72）之间包含绝缘层（9）。第一导电层（71）含有低熔点材料，第二导电层（72）的一部分介由例如绝缘层的开口，与第一导电层（71）导通。优选第二导电层是利用镀覆法形成的。另外，为了导通第一导电层和第二导电层，优选在第二导电层形成前实施利用了加热的退火，在绝缘层形成开口部。
太阳能电池及其制造方法以及模块

[发明专利]光电转换装置的制造方法-CN201180045445.6有效
发明人：吉见雅士;市川满;宇都俊彦;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及制造结晶硅系光电转换装置的方法。本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层。在本发明中，上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序、在以氢为主成分的气体气氛中进行等离子体处理的工序、采用等离子体CVD法在上述第1本征硅系薄膜层上形成第2本征硅系薄膜层的工序。
光电转换装置制造方法

[发明专利]晶体硅系太阳能电池及其制造方法-CN201080030021.8有效
发明人：足立大辅;吉河训太;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的目的是提供即使在硅晶体基板的厚度小的情况下也能抑制基板的翘曲，还具有高光电转换效率的异质结型太阳能电池。晶体硅基板1的厚度为50μm～200μm，至少在光入射侧主面具有凹凸结构。光入射侧透明导电层4的光入射侧表面具有凹凸结构。优选光入射侧透明导电层4表面的凹凸结构的高低差小于晶体硅基板1的光入射面侧的凹凸结构的高低差，并且光入射侧透明导电层4表面的凹凸结构的间隔小于晶体硅基板1的光入射面侧的凹凸结构的间隔。优选光入射侧透明导电层4具有厚度为300nm～2500nm的氧化锌层，并且氧化锌层含有在(10-10)面、(11-20)面或(10-11)面方向优先取向的六方晶体氧化锌。
晶体太阳能电池及其制造方法

[发明专利]薄膜太阳能电池组件-CN201080010205.8有效
发明人：吉河训太;市川满;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2010-02-19 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及将电连接薄膜硅光电转换单元和化合物半导体系光电转换单元而成的单位电池串联连接形成的薄膜太阳能电池组件。各单位电池从光入射侧看，至少依序具有透明电极2、非晶硅系光电转换单元3、中间透明电极层4、光电转换单元5、化合物半导体系光电转换单元6和金属电极7。在各单位电池内，光电转换单元5和化合物半导体系光电转换单元6串联连接而形成串联元件10，串联元件10介由透明电极2和中间透明电极层4与第1光电转换单元3并联连接。
薄膜太阳能电池组件

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