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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]抗菌片、抗菌涂层、层叠体及抗菌液-CN201580047924.X有效
发明人：柴田路宏;小泽信;河野哲夫;富永让;松永直裕;永崎秀雄;清都尚治;畠中优介 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种防止雾气和结露的效果特别高且能够防止或抑制细菌的繁殖的抗菌片、抗菌涂层、层叠体及抗菌液。本发明的抗菌片具有支撑体及配置于支撑体上的至少一层的抗菌层，抗菌层含有粘合剂及至少1种抗菌剂，粘合剂单独的水接触角为20°以下。
抗菌涂层层叠

[发明专利]水性涂布液、膜及其制造方法、层叠体和太阳能电池模块-CN201580056689.2在审
发明人： 河野哲夫;富永让;细田英正 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种膜的制造方法及其应用，所述膜的制造方法包括在基材上涂布水性涂布液而形成涂布膜的工序，所述水性涂布液包含水、作为二氧化硅粒子的平均一次粒径为8nm以下的一种无孔二氧化硅粒子、表面活性剂，且pH为1.5～3.5；及将涂布形成的涂布膜进行干燥的工序。
水性涂布液及其制造方法层叠太阳能电池模块

[发明专利]水性涂布液、膜及其制造方法、层叠体以及太阳能电池模块-CN201580065615.5在审
发明人：细田英正;伊藤滋英;河野哲夫 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种膜的制造方法及其应用，所述膜的制造方法包括涂布膜形成工序，在基材上涂布水性涂布液而形成涂布膜，所述水性涂布液包含水、平均一次粒径为8nm以下的表面带负电的二氧化硅粒子、多元醇型非离子表面活性剂，且pH为8～12；及涂布膜干燥工序，将涂布形成的涂布膜进行干燥。
水性涂布液及其制造方法层叠以及太阳能电池模块

[发明专利]化学浴沉积设备、形成缓冲层及制造光电转换装置的方法-CN201280052384.0无效
发明人： 河野哲夫;新井洋 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：以较低成本获得一种具有较高质量的光电转换装置缓冲层。一种化学浴沉积设备(1)包含：反应容器(3)，其用于容纳用于化学浴沉积以在衬底(10)的表面(10a)上形成膜的反应溶液(2)；衬底固持部分(20)，其用于固持衬底(10)以至少使得衬底(10)的表面(10a)接触反应溶液(2)，所述衬底固持部分包含由不锈钢制成的固定表面(21a)，衬底(10)的背侧紧密固定在所述固定表面上；加热器(30)，其安置在固定表面(21a)的后侧，所述加热器从衬底(10)的背侧加热所述衬底；以及反应溶液温度控制单元(40)，其用于控制反应容器(3)中反应溶液(2)的温度。
化学沉积设备形成缓冲制造光电转换装置方法

[发明专利]光电转换元件以及具备该元件的太阳电池-CN201180059140.0无效
发明人： 河野哲夫;加贺洋史 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种包括可大致一样地被覆基底层的缓冲层且光电转换效率的面内均一性高的光电转换元件。本发明的光电转换元件是在基板（10）上依序积层着下部电极层（20）、光电转换半导体层（30）、缓冲（40）层、及透光性导电层（50）的光电转换元件（1），该光电转换半导体层（30）以包含Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素的至少1种黄铜矿结构的化合物半导体作为主成分，且上述光电转换元件（1）于缓冲层（40）的上述透光性导电层（50）侧的表面（40s）包含羰离子（C），缓冲层（40）为包含三元化合物的平均膜厚10nm以上70nm以下的薄膜层，该三元化合物包含不含镉的金属、氧、以及硫。
光电转换元件以及具备太阳电池

[发明专利]光电转换元件和包含该光电转换元件的太阳能电池-CN201180033502.9无效
发明人： 河野哲夫;山本麻由 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电转换元件，所述光电转换元件包括能够均匀覆盖底层的缓冲层，并且具有很高的光电转换效率的面内均一性。本发明的光电转换元件是下述的光电转换元件(1)，其包含基板(10)，在基板(10)上按照下述顺序层积有下述层：下部电极层(20)；光电转换半导体层(30)，所述光电转换半导体层(30)包含由Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素形成的至少一种具有黄铜矿结构的化合物半导体作为主要成分；缓冲层(40)；和透光性导电层(50)，其中，所述缓冲层(40)包含无镉金属、氧和硫的三元化合物，并且在面向所述透光性导电层(50)的表面(40s)上具有羰基离子(C)。
光电转换元件包含太阳能电池

[发明专利]光电转换元件的制造方法-CN201110031128.0有效
发明人： 河野哲夫;小池理士 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电转换元件的制造方法。所公开的方法是一种具有形成于基板上的多层结构的光电转换元件(1)的制造方法，所述多层结构包括下电极(20)、由化合物半导体层制得的光电转换层(30)、由化合物半导体层制得的n型缓冲层(40)、和透明导电层(60)。制备作为含有n型掺杂元素；氨和铵盐中的至少一种；和硫脲的水溶液的反应液；通过将包括光电转换层(30)的基板(10)浸入温度被控制到20℃～45℃的反应液(90)中来将n型掺杂物扩散至光电转换层(30)中；和通过将经历了所述扩散步骤的包括光电转换层(30)的基板(10)浸入温度被控制到70℃～95℃的反应液(90)中来将缓冲层(40)沉积在光电转换层(30)上。
光电转换元件制造方法

[发明专利]缓冲层制造方法和光电转换装置-CN201110024528.9无效
发明人：小池理士;河野哲夫 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种缓冲层制造方法和光电转换装置，所述缓冲层具有均一组成，所述光电转换装置具有层积结构，所述层积结构中在基板上层积有下电极、通过吸收光而产生电流的光电转换半导体层、缓冲层和透光性导电层。在制造该光电转换装置的缓冲层的方法中，通过CBD法形成所述缓冲层，在通过CBD法进行缓冲层的沉积的同时，将用于形成缓冲层的反应液的pH变化控制在0.5以内，并且所述反应液包含Cd或Zn金属和硫源。
缓冲制造方法光电转换装置

[发明专利]组合物、膜和液晶显示装置-CN200680041751.1有效
发明人：冈崎正树;保田贵康;西川尚之;河野哲夫 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新的组合物。该组合物至少包括：聚合物材料和无机微粒，所述无机微粒具有吸附到其上的分子，所述分子具有针对所述无机微粒的至少一个吸附基团和能够形成液晶核的基团。本发明还公开了由该组合物制备的膜。
组合液晶显示装置

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