[发明专利]具有应用可变电阻值主动固态电解质材料的内存胞元的内存组件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510097637.8 | 申请日： | 2005-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1761064A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | R·斯曼茨克;T·罗尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/82;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明是关于一种内存组件(CBRAM)，其具有以主动固态电解质材料(13)为基础的内存胞元(1)，所述主动固态电解质材料(13)的电阻值可改变且埋在一底部电极与一顶部电极间，并可相较于在所述电极间所施加的适当电场而于一具有低电阻的开启状态与一具有高电阻的关闭状态间切换；其特征在于一电阻材料(10)是以并行于所述电极(BE、TE)间的固态电解质材料(13)的方式埋入。本发明亦关于一种优良的内存组件制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应用 可变 阻值 主动 固态 电解质 材料 内存 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内存组件(CBRAM)，其具有以一主动固态电解质材料(13)为基础的内存胞元(1)，所述主动固态电解质材料(13)可改变其电阻值且埋在一底部与一顶部电极(BE、TE)间，并可相较于在所述电极间所施加的适当电场而于一具有低电阻的开启状态与一具有高电阻的关闭状态间切换，其中以并行于所述电极(BE、TE)间的固态电解质材料(13)的方式埋入一电阻材料(10)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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