[发明专利]半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510091432.9 | 申请日： | 2005-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN1750253A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 金森宏治 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;樊卫民 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置，具有：在存储单元区域的基板表面上，沿着一方向互相分开而延伸，构成比特线的多个扩散区域；在基板上，沿着一方向延伸的选择栅极；以及在与一方向正交的方向延伸，与选择栅极交叉的字线，比特线扩散区域是把选择栅极的侧壁的悬浮栅极作为掩膜，通过自我整合而形成的，沿着一方向至少被分离为2个，在分离区域在与一方向正交的方向具有共用扩散区域，相邻的共用扩散区域夹介选择栅极而被互相分离，被分离了的共用扩散区域通过接点而与共用的上层布线连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于包括：在基板上形成有多个开口的图形的选择栅极的工序；在所述选择栅极的、面对所述开口的侧壁上形成悬浮栅极的工序，以及把所述选择栅极的侧壁的所述悬浮栅极作为掩膜，通过自我整合，在基板表面上形成构成比特线的多条扩散区域的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
