[发明专利]电镀半导体晶片的方法和设备有效
| 申请号： | 200510091317.1 | 申请日： | 2005-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1737208A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | Y·多尔迪;B·马拉欣;J·博伊德;F·C·雷德克;C·伍兹 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在接近晶片架边缘的第一和第二位置分别设置第一和第二电极，其中第一和第二位置基本上关于晶片架彼此相对。移动第一和第二电极可各自电气上连接和断开由晶片架保持的晶片。阳极设置在晶片上接近晶片的位置，使得电镀溶液的弯液面维持在阳极和晶片之间。当阳极从晶片上的第一位置移动到第二位置，通过阳极和晶片之间弯液面施加电流。并且，当阳极在晶片上移动时，控制第一和第二电极与晶片连接，同时确保阳极没有越过已连接的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 半导体 晶片 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种电镀半导体晶片的设备，包括：一个用来保持晶片的晶片架；设置在接近于晶片边缘的第一位置的第一电极，第一电极可移动以电气上连接和断开由晶片架保持的晶片；设置在接近于晶片边缘的第二位置的第二电极，第二位置关于晶片架与第一位置基本对置，第二电极可移动以电气上连接和断开由晶片架保持的晶片；并且设在由晶片架保持的晶片上表面之上的阳极，具有矩形表面区的阳极确定为基本平行和接近于晶片上表面，矩形表面区至少有一长边与晶片直径相等，矩形表面区由小于晶片直径的第二边长进一步确定，其中，阳极和晶片架配制成在第一电极和第二电极之间延伸的方向上彼此相对移动，这样当晶片由晶片架保持时阳极在晶片整个上表面上横向移动。
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