[发明专利]互补式金属氧化物半导体图像传感器的布局结构

摘要

本发明涉及互补式金属氧化物半导体图像传感器的布局结构，该互补式金属氧化物半导体图像传感器的布局结构包括一基底、多个光感测元件、多个晶体管与多个彩色滤光膜。基底具有一像素阵列区，像素阵列区是由多个像素所构成，每一个像素具有光感测区以及有源元件区，且像素之间以一隔离结构区隔，其中光感测区具有不同的尺寸。另外，多个光感测元件分别定义于光感测区中。多个晶体管配置于有源元件区中。多个彩色滤光膜分别配置于相对应的像素上方，以形成彩色滤光阵列。

主权项

1.一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的布局结构，包括：一基底，该基底具有一像素阵列区，该像素阵列区是由多个像素所构成，每一该些像素具有一光感测区以及一有源元件区，且该些像素之间以一隔离结构区隔，其中该些光感测区具有不同的尺寸；多个光感测元件，分别定义于每一该些光感测区中；多个晶体管，配置于每一该些有源元件区中；以及多个彩色滤光膜，分别配置于相对应的该些像素上方，以形成一彩色滤光阵列。