[发明专利]应用于三电平变频调速系统起动过程中的直流预励磁无效

专利信息
申请号: 200510086610.9 申请日: 2005-10-14
公开(公告)号: CN1767367A 公开(公告)日: 2006-05-03
发明(设计)人: 白华;赵争鸣;袁立强;张海涛;张延安 申请(专利权)人: 清华大学;国电南京自动化股份有限公司
主分类号: H02P21/08 分类号: H02P21/08;H02P1/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明主要涉及一种增加变频调速系统的起动转矩、减小起动电流从而改善变频器-电机系统起动性能的直流预励磁方法,属于电力电子应用技术领域。本发明首先在分析传统VVVF变频调速系统起动性能不足的基础上,根据park方程,确定预励磁方案选用励磁电压矢量方向和起动电压矢量方向;为了兼顾三电平中点平衡原理和空间矢量PWM脉冲发生准则,选用励磁电压矢量方向上的PPP和PNP矢量;根据电机内部参数,确定目标电流,决定作用矢量施加的时间、大小;最后根据目标电流,生成电压矢量脉冲序列,通过系统性试验,以起动电流最小化、增加起动转矩为目标,结合三电平变频器的自身特点,求取最优的励磁角度和励磁电流。
搜索关键词: 应用于 电平 变频 调速 系统 起动 过程 中的 直流 预励磁
【主权项】:
1、应用于三电平变频调速系统起动过程中的直流预励磁方法,其特征在于该方法依次含有以下步骤:步骤1:主控芯片DSP初始化设定:励磁电压矢量和起动时刻电压矢量之间的角度θ=90°,而且要先于电机起动来建立电机内部磁场;根据设定的预励磁目标电流,确定所选主控芯片DSP在一个开关周期内的初始占空比;有效预励磁时间t1-t0>5τ,以增大输出电磁转矩,其中τ为电机定、转子总回路时间常数,τ为已知量;在主控芯片DSP中的ACTR寄存器预设二进制数组#0000111101011111,以使主控芯片DSP交替发出矢量PNP和PPP,使励磁电流控制在设定的预励磁电流附近,所选PNP、PPP分别为三电平变频器矢量空间的大矢量和零矢量;步骤2:主控DSP芯片预先通过外围驱动电路向电机施加直流预励磁电压;步骤3:主控DSP芯片通过ADC电路测量当前励磁电流值;步骤4:主控DSP芯片判断当前励磁电流与预励磁目标电流之差;若:当前励磁电流大于预励磁目标电流,便调整占空比通过外围驱动电路向电机发零矢量PPP;若:当前励磁电流小于预励磁目标电流,便调整占空比通过外围驱动电路向电机发大矢量PNP;步骤5:主控DSP芯片判断励磁时间是否超过设定值,若否,则返回步骤4;若是,则预励磁结束,起动电机。
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