[发明专利]半导体存储器装置中的冗余电路无效
| 申请号： | 200510085105.2 | 申请日： | 2005-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1855300A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 姜相熙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407;G11C11/417;G11C7/00;G11C8/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种冗余电路，在该冗余电路中，多个冗余替换单位设置于一个熔丝组中以提高熔丝组之使用效率。一半导体存储器装置中之该冗余电路包含：熔丝组控制器，其用于输出根据所施加之地址信号而使能之冗余使能信号；冗余选择器；备用冗余选择器；及备用熔丝控制器，其受控于所述冗余使能信号，用于输出根据内部熔丝选项来选择冗余选择器及备用冗余选择器的至少一个的选择控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 中的 冗余 电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置中之冗余电路，包括：熔丝组控制器，其用于输出根据所施加之地址信号而使能的冗余使能信号；冗余选择器；备用冗余选择器；及备用熔丝控制器，其受控于所述冗余使能信号，用于输出根据内部熔丝选项而选择冗余选择器及备用冗余选择器的至少一个的选择控制信号。
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