[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510076135.7 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1741283A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 国政泰弘;濑川瑞树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：抑制因栅极电极布线上的硅化物层的断线而引起的栅极电极布线的高电阻化。在半导体衬底101的活性区域上形成栅极电极104a的同时，在围绕该活性区域的元件隔离绝缘膜102上形成由与栅极电极104a一样的材料构成的栅极布线104b。在栅极电极104a及栅极布线104b的各侧面形成绝缘性侧壁105后，将在栅极布线104b的至少一部分侧面形成的绝缘性侧壁105除去。在栅极电极104a和栅极布线104b的各上面、以及在栅极布线104b的侧面的被除去了绝缘性侧壁105的部分上，形成硅化物层108。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括：在衬底上形成的元件隔离及被该元件隔离包围的活性区域，在上述活性区域上形成且由半导体材料构成的栅极电极，以及在上述元件隔离上的与上述栅极电极相同的层中形成且由与上述栅极电极一样的材料构成的布线，其特征在于：在上述栅极电极的侧面形成有绝缘性侧壁；在上述栅极电极和上述布线的各个上面、以及上述布线的至少一部分侧面形成有硅化物层。
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