[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200510075943.1 申请日: 2005-05-26
公开(公告)号: CN1702857A 公开(公告)日: 2005-11-30
发明(设计)人: 平野浩一;山本義之;中谷诚一;小岛俊之;小松慎五 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60;H01B5/14
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 蔡胜利
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体器件的实施例包含:第一半导体元件,其包含第一元件本体部和设在所述第一元件本体部的第一面上的第一元件电极;配线板,其包含绝缘基板和形成在所述绝缘基板的主面上的第一配线层,并且被安置成使所述主面与所述第一元件本体部的第二面相对;第一薄膜,其覆盖着包括所述第一元件电极的表面在内的所述第一半导体元件的面的至少一部分和所述配线板的位于所述第一半导体元件侧的面的至少一部分;以及第二配线层,其形成在所述第一薄膜的位于所述配线板侧的面上,并且包含具有第一端和第二端的第一配线。所述第一配线的第一端接合在所述第一元件电极上,所述第一配线的第二端接合在所述第一配线层的一部分上。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:第一半导体元件,其包括第一元件本体部和第一元件电极,所述第一元件本体部具有第一面和与所述第一面相反的第二面,所述第一元件电极形成在所述第一面上;配线板,其包括绝缘基板和形成在所述绝缘基板的一个主面上的第一配线层,并且被安置成使所述主面与所述第一元件本体部的所述第二面相对;第一薄膜,其覆盖着包括所述第一元件电极的表面在内的所述第一半导体元件的面的至少一部分和所述配线板的位于所述第一半导体元件侧的面的至少一部分;以及第二配线层,其形成在所述第一薄膜的位于所述配线板侧的面上,并且包括具有第一端和第二端的第一配线;其中,所述第一配线的第一端接合在所述第一元件电极上,所述第一配线的第二端接合在所述第一配线层的一部分上。
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