[发明专利]金属氧化物半导体晶体管和其制造方法

摘要

本发明是一种金属氧化物半导体晶体管和其制造方法。所述金属氧化物半导体晶体管的制造方法，首先，提供一基底，基底上形成有栅极。以栅极为第一掩膜，布植基底。其后，形成至少两个第一间隙壁，分别邻接栅极的两侧。以栅极和第一间隙壁为第二掩膜，布植基底。接下来，形成至少两个第二间隙壁，分别邻接第一间隙壁。以栅极、第一间隙壁和第二间隙壁为一第三掩膜，反应暴露的基底，以形成至少两自对准金属硅化物区于基底中，其中自对准金属硅化物区是邻接第二间隙壁。本发明所述其金属氧化物半导体晶体管和其制造方法，具有较长的接面漏电路径，可减少漏电流。且可保护第一间隙壁的氧化层，以减少后续清洗制程对于氧化层所造成的损伤。

主权项

1、一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于所述金属氧化物半导体晶体管的制造方法包括下列步骤：提供一基底，该基底上形成有一栅极；以该栅极为一第一掩膜，布植该基底；形成至少两个第一间隙壁，分别邻接该栅极的两侧；以该栅极和该第一间隙壁为一第二掩膜，布植该基底；形成至少两个第二间隙壁，分别邻接该第一间隙壁；及以该栅极、该第一间隙壁和该第二间隙壁为一第三掩膜，反应该暴露的基底，以形成至少两自对准金属硅化物区于该基底中，其中该自对准金属硅化物区是邻接该第二间隙壁。