[发明专利]平面型垂直记录头无效
| 申请号： | 200510066734.0 | 申请日： | 2005-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1697023A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 小罗伯特·E·方塔纳;何国山;曾庆骅 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;G11B5/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于垂直记录的不需要研磨的磁头(滑块)。磁头具有平行于晶片表面的气垫面。线圈和极片由平行于气垫面设置的薄膜形成。可以使用标准光刻技术来限定形状、缝隙和极片尺寸。可以形成非直线形状，例如与写极片区域周围一致的侧屏蔽件。主极和返回极的厚度由沉积工艺而不是研磨控制。用来将各个滑块与晶片其余部分分离的锯切垂直于气垫面，并且不经过任何重要部件。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 垂直 记录 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁记录头，用于与磁记录介质一起使用，包括：写入头，包括：主极片，其设置在气垫面处，由平行于衬底表面和所述气垫面设置的薄膜形成在第一薄膜平面内；以及返回极片，设置在所述第一薄膜平面内，由平行于衬底表面和所述气垫面设置的薄膜形成在第一薄膜平面内。
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- 成田直幸;前田知幸 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
- 2019-08-29 - 2022-01-07 - G11B5/31
- 本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置以及磁头。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、层叠体、第1端子、第2端子以及线圈。第1电路至少实施第1工作。在第1工作中，当第2电路向线圈供给着记录电流时，第1电路向第1端子与第2端子之间的电流路径供给第1电流。第1电流比使得电流路径的电阻振荡的第2电流小。
- 巨磁自旋-塞贝克效应诱导的磁控转移扭矩辅助的MAMR-201910880012.0
- Z·李;S·宋;M·K·S·霍 - 西部数据技术公司
- 2019-09-18 - 2021-12-24 - G11B5/31
- 本申请涉及巨磁自旋‑塞贝克效应诱导的磁控转移扭矩辅助的MAMR，并公开了一种磁记录装置，其包括主磁极、围绕主磁极的线圈、后罩以及位于主磁极与后罩之间的自旋扭矩振荡装置。自旋扭矩振荡装置包括一个或多个第一层、间隔层和场产生层。一个或多个第一层位于主磁极上方。一个或多个第一层具有第一导热率或包括低导热率材料。间隔层位于一个或多个第一层上方。场产生层位于间隔层上方。散热器与后罩接触。散热器具有第二导热率或包括高导热率材料。散热器的第二导热率高于一个或多个第一层的第一导热率。
- 横向偏置强度增强-202110279552.0
- 毛明;C-J·钱 - 西部数据技术公司
- 2021-03-16 - 2021-12-21 - G11B5/31
- 本公开大体上涉及具有双自由层(DFL)传感器的读头。所述读头具有安置于两个屏蔽件之间的传感器。所述传感器是DFL传感器且具有在面对介质的表面(MFS)处的表面。在所述DFL传感器后方且远离所述MFS的是后硬偏置(RHB)结构。所述RHB结构也安置于所述屏蔽件之间。在所述DFL传感器与所述RHB结构之间的是绝缘材料。所述绝缘材料是多层结构。所述多层结构的第一层包括与隧道磁阻屏障层相同的材料，例如MgO，且安置成邻近于所述DFL传感器，但与所述RHB结构间隔开。所述多层结构的第二层是不同绝缘层，其安置成邻近于所述RHB结构，但与所述DFL传感器间隔开。所述多层结构有助于通过维持RHB矫顽磁性而改善面密度，而不会使头稳定性和性能可靠性降级。
- 专利分类
