[发明专利]穿通电极、设有穿通电极的隔片及其制造方法有效
| 申请号： | 200510062505.1 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1677659A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 小室雅宏 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种穿通电极，该穿通电极提供优异的性能和可以通过简单工艺制造。在包括硅衬底的硅隔片中，设置与硅衬底的表面和贯穿硅衬底的穿通孔侧壁接触的绝缘厚膜。穿通栓塞的上表面被再处理为低于硅衬底和绝缘厚膜之间的界面的水平面，由此限定高度间隙。然后形成第一凸块，第一凸块连接到穿通栓塞的再处理表面，以及具有比绝缘厚膜的上表面处的穿通栓塞更大的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 设有 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种穿通电极，包括：设有穿通孔的硅衬底；在所述硅衬底表面上形成的绝缘保护膜，具有与所述穿通孔连接的开口；通过将导电材料嵌入所述穿通孔中形成的穿通栓塞；以及连接到所述穿通栓塞的凸块；其中所述凸块连接到所述穿通孔内的所述穿通栓塞，以及位于所述穿通孔外的部分所述凸块具有比位于所述穿通孔内的部分所述凸块更大的直径。
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