[发明专利]硅氧化物氮化物氧化物半导体型存储器件

摘要

提供了一种SONOS型存储器，包括半导体衬底；配置在半导体衬底中、用预定导电性的杂质离子掺杂的、彼此分开预定距离的、并且之间插入沟道区的第一杂质区和第二杂质区；和在第一杂质区和第二杂质区之间的半导体衬底上形成的数据存储型堆叠。数据存储型堆叠包括依次形成的隧道氧化层、用于存储数据的存储节点层、阻挡氧化层和电极层。存储节点层的介电常数高于隧道氧化层的介电常数和阻挡氧化层的介电常数，并且存储节点层的能带差低于隧道氧化层的能带差和阻挡氧化层的能带差，隧道氧化层和阻挡氧化层是高介电绝缘层。

主权项

1.一种硅氧化物氮化物氧化物半导体(SONOS)型存储器件，其包括：半导体衬底；配置在半导体衬底中的第一杂质区和第二杂质区，第一杂质区和第二杂质区用预定导电性的杂质离子掺杂，并彼此分开预定距离，其中沟道区配置在第一杂质区和第二杂质区之间；和在第一杂质区和第二杂质区之间的半导体衬底上形成数据存储型堆叠，其中数据存储型堆叠包括依次形成的隧道氧化层、用于存储数据的存储节点层、阻挡氧化层和电极层，存储节点层的介电常数高于隧道氧化层的介电常数和阻挡氧化层的介电常数，存储节点层的能带差低于隧道氧化层的能带差和阻挡氧化层的能带差，并且隧道氧化层和阻挡氧化层是高介电绝缘层。