[发明专利]基板处理装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200480041311.7 | 申请日： | 2004-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1914714A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 置田阳一;揖斐恒治;铃木实;立野勇一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 基板处理装置由下述部分构成：处理容器，其通过排气系统排气，并具备保持被处理基板的基板保持台，并在内部区划出处理空间，由遮蔽板将上述处理空间分割为包括上述被处理基板的表面的第一处理空间部分和由上述处理空间的剩余区域构成的第二处理空间部分，在上述遮蔽板上形成有大于上述被处理基板的开口部；处理气体供给线路，其向上述处理容器中导入蚀刻气体；等离子体发生源，其在上述处理空间内形成等离子；高频源，其与上述基板保持台相结合。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，由下述部分构成：处理容器，其通过排气系统排气，具备保持被处理基板的基板保持台，并在内部区划出处理空间，处理气体供给线路，其向上述处理容器中导入蚀刻气体，等离子体发生源，其在上述处理空间内形成等离子体，高频源，其与上述基板保持台相结合，其特征在于：在上述处理容器内具有遮蔽板，其将上述处理空间分割为，包括上述被处理基板的表面的第一处理空间部分和由上述处理空间的剩余区域构成的第二处理空间部分，在上述遮蔽板上，形成有大于上述被处理基板的开口部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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