[发明专利]制造p型Ⅲ族氮化物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 200480032141.6 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1875462A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 小早川真人 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一个目的是提供一种制造具有足够的载流子浓度和低晶体损伤发生率的表面的p型III族氮化物半导体的有效方法。所述制造p型III族氮化物半导体的发明方法包括以下步骤：(a)在包括氢气和/或氨气的气氛中在1000℃或更高的温度下，生长包括p型掺杂剂的III族氮化物半导体；以及(b)在所述III族氮化物半导体的所述生长后，当降低温度时，在高于800℃的温度下用惰性气体替代所述氢气和氨气。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化物 半导体 方法 以及 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造p型III族氮化物半导体的方法，包括以下步骤：a.在包括氢气和/或氨气的气氛中在1000℃或更高的温度下，生长包括p型掺杂剂的III族氮化物半导体；以及b.在所述III族氮化物半导体的所述生长后，当降低温度时，在高于800℃的温度下用惰性气体替代所述氢气和氨气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
