[发明专利]开关电容电路及其半导体集成电路

摘要

在硅衬底上形成高度为H_B、宽度为W_B的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜，以形成MOS晶体管。上述准备的P沟道和n沟道MOS晶体管并联，以配置开关电容电路的开关。以这种方式，开关电容电路可表现出更小的漏泄电流和更小的DC偏置。

主权项

1.一种在半导体集成电路的衬底上形成的开关电容电路，包括：MIS场效应晶体管，其中由硅衬底形成突出部分，所述硅衬底具有作为主表面的第一晶体表面和作为侧表面的第二晶体表面，在惰性气体的等离子体气氛中去掉硅表面上的封端氢，然后以所述等离子体气氛中等于或者低于大约550℃的温度在所述突出部分的上表面和所述侧表面的至少一部分上形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上形成栅极，并且在包围所述突出部分的所述栅极绝缘膜的两侧上形成漏极和源极；以及电容器。