[发明专利]高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜叠层电容器及薄膜电容元件的制造方法

摘要

一种电介质薄膜(8)，具有第1铋层状化合物层(8a)，该第1铋层状化合物层(8a)用组成式：(Bi₂O₂) ²⁺ (A_m－1B_mO_3m+1) ^2－、或者Bi₂A_m－1B_mO_3m+3表示，上述组成式中的记号m为正数，记号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca及Bi的至少1种元素，记号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。在该第1铋层状化合物层(8a)和下部电极(6)之间形成有比第1铋层状化合物层(8a)的组成式过剩地含有铋的第2铋层状化合物层(8b)。

主权项

1.一种高介电常数绝缘膜，至少具有用组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-、或者Bi2Am-1BmO3m+3表示，上述组成式中的记号m为正数，记号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca及Bi的至少1种元素，记号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo、W及Mn的至少1种元素的第1铋层状化合物层、和与上述第1铋层状化合物层叠层、并比上述第1铋层状化合物层的上述组成式过剩地含有铋的第2铋层状化合物层。