[实用新型]场致发射真空高频发射管无效
| 申请号： | 200420002653.5 | 申请日： | 2004-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN2678120Y | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡东山;邵佑军;黄庆云;胡睿祖;施化芬;吕永积 | 申请（专利权）人： | 北京普瑞广科科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J19/24 | 分类号： | H01J19/24;H01J19/28;H01J19/54;H01J1/304;H01J21/00 |
| 代理公司： | 北京双收知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴忠仁;左明坤 |
| 地址： | 102206北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种场致发射冷阴极阵列的真空高频发射管。包括安装在外壳中的阴极，栅极，帘栅极和阳极；其中阴极为场致发射阴极阵列，该场致发射阴极阵列包括电子源发射体、金属导电层和非导电材料的衬底；发射体为柱形阵列和条形阵列，制作在衬底上的金属导电层与发射体连通，在发射体上方集成栅极；在栅极上方安置帘栅极；发射体、栅极、帘栅极的电极从外壳一端向外引出；外壳另一端用阳极进行封装。本实用新型场致发射真空高频发射管与灯丝式热阴极真空发射管相比，具有如下优点：寿命长，功耗低，调制方式灵活且信噪比高，响应速度快、惰性小，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 真空 高频 | ||
【主权项】：
1、一种场致发射真空高频发射管，包括安装在外壳内真空中的阴极，栅极，帘栅极和阳极；其特征是所述的阴极为场致发射阴极阵列(5)，该场致发射阴极阵列(5)包括电子源发射体(6)、金属导电层(9)和非导电材料的衬底(7)；所述发射体(6)为柱形阵列，制作在所述衬底(7)中，在所述衬底(7)的下面制作所述的金属导电层(9)，与所述的发射体(6)连通，在所述发射体(6)上方集成所述的栅极(4)；在所述栅极(4)上方安置所述的帘栅极(3)；所述的栅极(4)和帘栅极(3)为金属网格状；所述发射体(6)、栅极(4)、帘栅极(3)的电极从所述外壳(2)一端向外引出，所述外壳(2)另一端用所述阳极(1)进行封装。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京普瑞广科科技有限公司，未经北京普瑞广科科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200420002653.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：同轴微电缆的公连接器
- 下一篇：日光紫外线强度测试仪
- 同类专利
- 一种可寻址的纳米冷阴极电子源阵列及其制作方法-202111633265.1
- 陈军;李欣然;曹秀清;邓少芝;许宁生 - 中山大学
- 2021-12-28 - 2023-10-27 - H01J19/24
- 本发明涉及真空微电子器件的技术领域，更具体地，涉及一种可寻址的纳米冷阴极电子源阵列及其制作方法，底部阴极电极条平行排布于衬底顶部，底部栅极电极条平行排布于第一绝缘层顶部，实现底部阴极电极条和底部栅极电极条的分层独立布线，且底部阴极电极条与底部栅极电极条垂直排布，顶部阴极电极通过第一刻蚀通孔与底部阴极电极条相连，顶部栅极电极通过第二刻蚀通孔与底部栅极电极条相连，实现器件可行列寻址的电子发射，本发明的可寻址的纳米冷阴极电子源阵列，实现每一行顶部栅极电极的并联，每一个顶部栅极电极的正常工作不受其他顶部栅极电极的影响，提高器件在高压大电流下的工作可靠性。
- 一种便于可靠安装的冷阴极触发管-202123035776.1
- 陈华新;沈廷龙;毛经华 - 江西景光电子有限公司
- 2021-12-06 - 2022-09-09 - H01J19/24
- 本实用公开了一种便于可靠安装的冷阴极触发管，包括管体和设置在管体外部的阳极接线脚、阴极接线脚与触发极接线脚，所述阳极接线脚、阴极接线脚与触发极接线脚位于同一直线上，所述管体的外侧设有安装环，所述安装环上设有安装槽，所述安装槽沿触发极接线脚的中线对称分布，所述管体可通过安装槽卡装在安装座上，所述安装座的底部设有对称设置的两个支脚，每个所述支脚上设有安装孔，所述安装孔内设有安装杆；本实用新型将阳极接线脚、阴极接线脚与触发极接线脚设置在管体外侧同一直线上，然后通过安装座将管体与电路板进行安装固定，然后进行焊接，具有焊接方便、焊接稳定等优点，可实现管体与电路板直接焊接安装。
- 一种小型高压冷阴极触发管-202122451930.7
- 方春光;陈华新;刘伟 - 江西景光电子有限公司
- 2021-10-12 - 2022-03-22 - H01J19/24
- 本实用公开了一种小型高压冷阴极触发管，包括管体、阳极、阴极、触发极、触发极底盘、阳极盖板、阳极接线块、触发极接线块和阴极接线块，所述阳极盖板盖合封装在阳极端，所述阳极与阳极接线块连接，所述阴极与阴极接线块连接，所述触发极与触发极底盘连接，所述触发极底盘与触发极接线块连接，所述触发极设置在中空的阴极内部，所述阳极、阴极和触发极与管体和阳极盖板的接触面设有密封结构；本实用新型通过将阳极与阳极接线块，阴极与阴极接线块，触发极、触发极底盘和触发极接线块均设置成一体结构，减少接线次数，并在电极与管体之间的接触面设置密封结构，增加触发管的密封性和可靠性，避免漏气、慢性漏气、连接不良的情况发生。
- 一种基于场发射电子的太赫兹激光二极管-202011096363.1
- 刘维浩 - 南京航空航天大学
- 2020-10-14 - 2021-12-07 - H01J19/24
- 本发明公开了一种基于场发射电子的太赫兹激光二极管，包括彼此平行面对的阳极板和阴极板，设置于阳极板和阴极板之间的介质层环；介质层环的外侧面与阳极板的侧面对齐，介质层环的外侧面与阴极板的侧面对齐，介质层环的其中一个表面与阳极板上与阴极板相对的那一面接触，介质层环的另一个表面与阴极板上与阳极板相对的那一面接触，阳极板、阴极板和介质层环共同形成一个密封腔，阴极板为场发射阵列或者阴极板为平板且平板上与阳极板相对的那一面涂覆有场发射材料，阴极板的宽度大于阳极板与阴极板之间间距的20倍以上。通过调节二极管的偏置电压，即可改变高频场的工作频率，从而得到频率的可调的太赫兹电磁波输出。
- 一种功率器件-202020537935.4
- 赵发展;卜建辉;罗家俊 - 中国科学院微电子研究所
- 2020-04-13 - 2020-10-23 - H01J19/24
- 本实用新型公开了一种功率器件，包括至少一个真空封装的单元结构；其中，所述单元结构包括：硅衬底以及形成于所述硅衬底上的发射极、光调制极和集电极。一方面，由于整个器件采用统一的硅基工艺制备，解决传统冷阴极场发射的发射极在工艺制备过程中的不一致性的问题，提高器件内部精度和一致性，增强器件的可靠性；另一方面，基于硅基工艺引入了形成在所述硅衬底上的光调制极，增强了发射极的场发射效率，抵消发射极不均匀性造成的发射极尖端与集电极间距的不一致性，增加冷阴极发射电极的工艺冗余度，使得器件不需要完全依靠场发射原理来产生电子，降低场发射的负荷，进一步增强器件的可靠性。
- 一种基于冷阴极的多极多电子注辐射源-201910480337.X
- 袁学松;王瑞;陈青云;鄢扬;王彬;李海龙;殷勇;蒙林 - 电子科技大学
- 2019-06-04 - 2020-09-25 - H01J19/24
- 本发明属于微波、毫米波以及太赫兹频段电真空器件领域，具体提供一种基于冷阴极的多极多电子注辐射源。本发明主要包括阴极挡板、辐射源芯、馈电系统、金属外壳以及输出窗片；通过多级发射和多极调制的方式，充分利用高频结构中部较强的高频场作用在冷阴极表面，从而增加发射电流并加深电子注调制深度，使得电子注有显著的预调制效果。本发明能够得到非常优质的场发射预调制电子注，注波互作用效率得到了明显改善，输出功率明显提高；无需电子光学系统这一优势很大程度地减小了器件的复杂度，通过精细加工，器件尺寸可以达到微米量级，实现毫米波、亚毫米波、太赫兹辐射源的集成性和小型化。
- 一种功率器件及其制备方法-202010287813.9
- 赵发展;卜建辉;罗家俊 - 中国科学院微电子研究所
- 2020-04-13 - 2020-07-31 - H01J19/24
- 本发明公开了一种功率器件，包括至少一个真空封装的单元结构；其中，所述单元结构包括：硅衬底以及形成于所述硅衬底上的发射极、光调制极和集电极。一方面，由于整个器件采用统一的硅基工艺制备，解决传统冷阴极场发射的发射极在工艺制备过程中的不一致性的问题，提高器件内部精度和一致性，增强器件的可靠性；另一方面，基于硅基工艺引入了形成在所述硅衬底上的光调制极，增强了发射极的场发射效率，抵消发射极不均匀性造成的发射极尖端与集电极间距的不一致性，增加冷阴极发射电极的工艺冗余度，使得器件不需要完全依靠场发射原理来产生电子，降低场发射的负荷，进一步增强器件的可靠性。
- 具有环栅式阴极的纳米真空间隙器件-201680011807.2
- 黄碧琴;克里斯托弗S·罗珀;塔希尔·侯赛因 - 美国休斯研究所
- 2016-04-13 - 2019-11-01 - H01J19/24
- 一种半导体功率处理器件，包括阴极柱、围绕阴极柱的栅极、以及与阴极柱间隔一纳米真空间隙的阳极。一种半导体功率处理器件阵列，每个器件包括阴极柱、围绕阴极柱的栅极、以及与阴极柱间隔一纳米真空间隙的阳极。多个半导体功率处理器件可以按行和列排列，并且可以互相连接以满足不同应用的需求。该半导体功率处理器件阵列可以在单一块衬底上制造。
- 一种场发射冷阴极及其制造方法-201611124177.8
- 洪序达;梁栋;石伟 - 中国科学院深圳先进技术研究院
- 2016-12-08 - 2019-05-07 - H01J19/24
- 一种场发射阴极的制造方法，所述方法包括：提供导电基板；在所述导电基板上涂覆石墨烯纳米片；在所述石墨烯纳米片表面沉积六方氮化硼纳米片。通过在导电基板上涂覆石墨烯纳米片，在所述石墨烯纳米片的表面沉积六方氮化硼纳米片，使得六方氮化硼纳米片与石墨烯纳米片之间形成稳定的复合纳米结构，降低了石墨烯的功函数，增加了石墨烯表面的局域电场，从而明显降低阴极的开启电场，提高其发射电流。并且，六方氮化硼纳米片部分阻止了石墨烯受到阳离子的轰击，提高了阴极的发射稳定性。
- 一种利用铅笔书写柔性场发射冷阴极的制备方法-201610323110.0
- 阎兴斌;陈江涛;杨兵军;刘夏辉 - 中国科学院兰州化学物理研究所
- 2016-05-16 - 2016-07-27 - H01J19/24
- 本发明公开了一种利用铅笔书写柔性场发射冷阴极的制备方法，用铅笔在打印纸、滤纸或镀有导电金属膜的纸张上写文字和/或画图即得包括文字和/或图形的平面、曲面或线性柔性场发射冷阴极。本发明简单易操作，不需转移技术、不需溶剂、不需真空及高温退火即可获得柔性冷阴极材料；可大面积制备冷阴极材料，发射电流密度大且所需电场较低。
- 一种微波调制冷阴极微型辐射源及其实现方法-201510674912.1
- 袁学松;谢杰;王彬;李海龙;鄢扬 - 电子科技大学
- 2015-10-19 - 2015-12-16 - H01J19/24
- 本发明公开了一种微波调制冷阴极微型辐射源及其实现方法，解决了现有技术的问题。该微波调制冷阴极微型辐射源包括利用微波调制的冷阴极电子枪；互作用谐振腔，与利用微波调制的冷阴极电子枪配合使用；互作用谐振腔包括谐振腔壳体，两个相对并分别设置在谐振腔壳体内部上下两端的电子注漂移管道，两个电子注漂移管道之间具有间隙，且位于上端的电子注漂移管道为收集极；在谐振腔壳体的一侧上还设置有凸出谐振腔壳体的外导体和位于外导体内的内导体，在二者之间还设置有陶瓷输出窗片，外导体、内导体和陶瓷输出窗片同轴；外导体中空并与谐振腔壳体连通；在谐振腔壳体内与内导体同侧还设置有耦合环，耦合环一端与内导体连接、另一端与谐振腔壳体内壁连接。
- 一种带电场补偿的冷阴极三极管-201310078874.4
- 张晓兵;雷威;王琦龙 - 东南大学
- 2013-03-12 - 2014-03-12 - H01J19/24
- 发明公开了一种带电场补偿的冷阴极三极管，包括阴极、阳极和栅极，所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板表面上的场发射冷阴极，所述栅极设置在阴极和阳极之间，在栅极上设置有与场发射冷阴极对应的栅孔；所述阴极基板表面为相对栅极具有凸出弧度的结构。本发明提供的一种带电场补偿的冷阴极三极管，与传统场发射冷阴极三极管技术相比，不仅具有发射均匀性好、阴极与栅极间电容小等优点，还可以避免传统场发射阴极因边缘场过于集中带来的打火、阴极损伤等。
- 一种微波调制相位可控的多电子注冷阴极电子枪-201310611408.8
- 袁学松;鄢扬 - 电子科技大学
- 2013-11-26 - 2014-02-26 - H01J19/24
- 该发明属于可集成电真空辐射源器件配套用冷阴极电子枪，包括：电子枪壳体及其底座，上、下电极板及设有与冷阴极的个数相同通孔的微波输入层，微波输入层中各通孔分别与上、下电极板一并组成相应个数的互作用腔，各冷阴极分别嵌于相应互作用腔底部的下电极板上，在正对每个互作用腔的上电极板区域内均开设了一组各孔尺寸都小于微波波长的阵列式电子注输出孔。该发明具有注波互作用空间小，可按要求馈入不同频率的微波来调制多个冷阴极发射电流、以产生不同调制频率及强度的多个电子注，而且每个电子注微波调制相位可控，可为集成微型电真空辐射源器件提供多个电子注源，且输出功率大，有效扩大了应用范围等特点。
- 场致发射真空高频发射管-200420002653.5
- 蔡东山;邵佑军;黄庆云;胡睿祖;施化芬;吕永积 - 北京普瑞广科科技有限公司
- 2004-01-30 - 2005-02-09 -
- 本实用新型涉及一种场致发射冷阴极阵列的真空高频发射管。包括安装在外壳中的阴极，栅极，帘栅极和阳极；其中阴极为场致发射阴极阵列，该场致发射阴极阵列包括电子源发射体、金属导电层和非导电材料的衬底；发射体为柱形阵列和条形阵列，制作在衬底上的金属导电层与发射体连通，在发射体上方集成栅极；在栅极上方安置帘栅极；发射体、栅极、帘栅极的电极从外壳一端向外引出；外壳另一端用阳极进行封装。本实用新型场致发射真空高频发射管与灯丝式热阴极真空发射管相比，具有如下优点：寿命长，功耗低，调制方式灵活且信噪比高，响应速度快、惰性小，制造成本低。
- 表面电子显示器件及制造工艺-97180858.9
- 迈克尔·D·波特 - 先进图像技术公司
- 1997-12-30 - 2000-01-12 -
- 用作显示元件的器件具有电子发射极和设置用于接收发射极发射的电子的阳极。阳极具有电阻率不同的表面部分,在最低电阻率部分提供电子汇集部分。优选实施例具有,横向场致发射电子发射极,并具有利用特别适于提供包括电子汇集部分的电阻率不同阳极部分的工艺形成的阳极。电子汇集部分优选设置在与器件的电子发射极的发射尖端横向隔开的位置。在具体的优选制造工艺中,通过淀积基层、淀积并构图具有开口的腐蚀停止层,以限定电子汇集部分,向下腐蚀各叠层到腐蚀停止层,加热基层和腐蚀停止层,形成包括一体的电子汇集部分和用于发光的阴极发光荧光体的阳极表面,从而形成阳极。该制造工艺适于制造用于制造平板显示器的多个显示单元器件。
- 专利分类
