[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

摘要

公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中在活性区与场效应区之间的边界未被离子注入损坏。制造CMOS图像传感器的方法包括在第一导电型半导体衬底中形成沟槽，在沟槽两侧的半导体衬底中形成第一导电型重掺杂杂质离子区，通过在沟槽与器件隔离之间插入绝缘膜形成器件隔离膜，在半导体衬底上依次形成栅绝缘膜和栅电极，在栅电极和器件隔离膜之间的半导体衬底中形成光电二极管的第二导电型杂质离子区。

主权项

1.一种CMOS图像传感器，包含：具有由场效应区确定的活性区的第一导电型半导体衬底；在活性区的预定部分中形成的光电二极管；沿着光电二极管周边形成的器件隔离膜；和在器件隔离膜两侧形成的第一导电型重掺杂杂质离子区。