[发明专利]具有电容器的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410088016.9 | 申请日： | 2002-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1617340A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 梶田明广;山田雅基 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件，包括：半导体衬底；在上述半导体衬底上边形成的第1层间绝缘膜；在上述第1层间绝缘膜内形成的第1布线层，上述第1布线层在上述第1层间绝缘膜的表面上露出来；在上述第1层间绝缘膜上边形成的第2层间绝缘膜；在上述第2层间绝缘膜上形成的第1栓塞，上述第1栓塞到达上述第1布线层的上表面上；在上述第1栓塞的侧面和底面上形成的MIM型电容器，所述MIM型电容器包括：连接到上述第1布线层上的下部电极膜、在上述下部电极膜上边形成的电介质膜和在上述电介质膜上边形成的上部电极膜；在上述第2层间绝缘膜上形成的上部电极用布线层，上述上部电极用布线层连接到上述第1栓塞上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电容器 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在上述半导体衬底上边形成的第1层间绝缘膜；在上述第1层间绝缘膜内形成的第1布线层，上述第1布线层在上述第1层间绝缘膜的表面上露出来；在上述第1层间绝缘膜上边形成的第2层间绝缘膜；在上述第2层间绝缘膜上形成的第1栓塞，上述第1栓塞到达上述第1布线层的上表面上；在上述第1检塞的侧面和底面上形成的MIM型电容器，所述MIM型电容器包括：连接到上述第1布线层上的下部电极膜、在上述下部电极膜上边形成的电介质膜和在上述电介质膜上边形成的上部电极膜；在上述第2层间绝缘膜上形成的上部电极用布线层，上述上部电极用布线层连接到上述第1栓塞上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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