[发明专利]互补金属氧化物半导体影像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200410087716.6 | 申请日： | 2004-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1624900A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 金恩志 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种互补金属氧化物半导体影像传感器的制造方法，能够保护低温氧化物层，避免钝化层发生剥落。该方法包含下列步骤：在垫金属上形成钝化层；通过使用第一垫掩模，将钝化层图案化，暴露出垫金属的预定部分；在暴露的垫金属上和形成在垫开口区周围的钝化层上，形成氧化物层；依序形成彩色滤光片，平坦化层和微透镜；在上述的结构上形成低温氧化物层，以保护微透镜；及通过第二垫掩模，选择性蚀刻形成在垫开口区周围的低温氧化物层和氧化物层，打开垫金属。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 影像 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提供垫开口区的互补金属氧化物半导体影像传感器的制造方法，包含下列步骤：在垫金属上形成钝化层；通过使用第一垫掩模，将钝化层图案化，暴露出垫金属的预定部分；在暴露的垫金属上和形成在垫开口区周围的钝化层上，形成氧化物层；依序形成彩色滤光片，平坦化层和微透镜；在上述的结构上形成低温氧化物层，以保护微透镜；及通过第二垫掩模，选择性蚀刻形成在垫开口区周围的低温氧化物层和氧化物层，打开垫金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
