[发明专利]半导体多层布线板及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体多层布线板的制造方法，该方法使得向基板上形成低介电常数氧化硅系层间绝缘层、通过双大马士革法形成布线形成空间、在该空间上形成由有机单分子膜构成的致密且薄的防扩散膜、向上述空间上形成布线层的这些的全部工序完全湿法化、从而使制造工序简单化、降低制造成本。在使用旋涂式玻璃材料形成于基板上的低介电常数的氧化硅系层间绝缘层中形成布线层形成空间，然后，根据需要在氧化性气氛中紫外线照射，在绝缘层表面进行处理以形成Si－OH键，然后，在上述布线层形成空间内侧使用有机硅烷化合物使使硅烷系单分子层膜密合，使用钯化合物水溶液使该单分子层膜表面催化剂化，在该催化剂化的单分子层膜中通过无电解电镀形成防铜扩散性高的电镀膜，在该防铜扩散膜上形成铜镀层，由此形成布线层。

主权项

1.一种半导体多层布线板，其具有将形成于半导体基板上的下层布线层，与在下层布线层的上面通过低介电常数的氧化硅系层间绝缘层形成的上层布线层，通过上下贯通上述层间绝缘层的通孔布线而连接的半导体多层布线，其特征在于：在上述低介电常数的氧化硅系层间绝缘层中，形成通过双大马士革法形成的布线层形成空间，在该布线层形成空间的内侧形成硅烷系单分子层膜，在该单分子层膜的表面形成电镀膜，在该电镀膜上形成有由铜电镀膜构成的布线层。