[发明专利]半导体结构及其应用、尤其是限制过电压的应用

摘要

半导体结构，具有：一个衬底；一个第一导电类型的半导体层，该层设置在衬底上及通过一个绝缘层与衬底隔开；第二导电类型的、构成在半导体层中的彼此间隔开的第一及第二层；第一导电类型的、构成在半导体层中的第三层，它与第二层形成接触；与第一层相接触的第一电极；与第二及第三层相接触的第二电极；第一导电类型的、构成在半导体层中的第四层，该层包围第二及第三层，其中该层分别与第二及第三层直接接触；及第一导电类型的、构成在半导体层中第一层下面的、具有相对该半导体层增高的搀杂的第五层；其中第一层基本上环形地围绕着第二、第三及第四层。该可单片集成的半导体结构，除应用于集成电路上过电压的可靠限制外也适于用作普通二极管。

主权项

1.半导体结构(1)，它具有：-一个衬底(3)；-一个第一导电类型的半导体层(4)，该层设置在该衬底(3)上面及通过一个绝缘层(5)与该衬底隔开；-一个第二导电类型的、构成在该半导体层(4)中的彼此间隔开的一个第一层(6)及一个第二层(7)；-该第一导电类型的、一个构成在该半导体层中的第三层(8)，它与第二层(7)形成接触；-一个与该第一层(6)相接触的第一电极(17)；-一个与该第二层(7)及第三层(8)相接触的第二电极(18)；-该第一导电类型的、一个构成在该半导体层(4)中的第四层(9)，该层包围该第二层(7)及第三层(8)，其中该层分别与第二及第三层直接接触；及-该第一导电类型的、构成在该半导体层(4)中第一层(6)下面的、具有相对该半导体层(4)增高的搀杂的第五层(13)；其中该第一层(6)基本上环形地围绕着该第二层(7)、第三层(8)及第四层(9)。