[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种半导体装置，具备设在基板(10)上的下层层间绝缘膜(11)、由沿着下层层间绝缘膜(11)的下层布线槽(13)的壁面形成的下层阻挡金属层(14)以及铜膜(15)构成的下层布线(16)、上层插头(22a)以及上层布线(22b)。上层插头(22a)贯通硅氮化膜(24)和下层布线(16)的铜膜(15)接触。下层布线(16)中设有埋入下层布线槽(13)的凹部(13a)中的多个凸部(16a)。由于在凸部(16a)中下层布线(16)中的空隙也被吸气，因此能缓和下层布线(16)与上层插头(22a)接触的部分中空隙的集中，并且抑制接触电阻的增大。这样，能够抑制在布线和其上方的插头的接触部分中因布线中的空隙被集中性吸气而导致的接触电阻增大。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，具备：设有半导体元件的基板；设置在所述基板上方的下层层间绝缘膜；设置在所述下层层间绝缘膜上的下层布线槽；设置在所述下层布线槽内，并且在侧面、底面、上面之中至少一面上具有凸部或凹部的下层布线；在所述下层层间绝缘膜以及下层布线的上方设置的上层层间绝缘膜；和贯通所述上层层间绝缘膜并和所述下层布线的一部分接触的上层插头。