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[发明专利]引线加工装置及使用该引线加工装置制造的半导体装置-CN201711276009.5有效
发明人： 上田哲也;亦贺慎二;坂本健 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在引线加工装置(1)处，半导体装置(51)配置为将封装树脂体(57)的表面(57a)朝上，外部端子(61)的凸出方向成为上方。在一方的外部端子(61)和另一方的外部端子(61)之间插入模板(5)。以与模板(5)相对的方式配置脱模板(7)。在该状态下，通过朝向模板(5)，在与外部端子(61)的凸出方向交叉的方向上使冲头(41)移动，从而将连接杆(69)等切除。在模板(5)形成有供冲头(41)插穿的插穿孔(5a)。
引线加工装置使用制造半导体

[发明专利]固体高分子膜电极-CN201780067864.7有效
发明人：山内悠平;雨森大治;福田宪二;吉江清敬;松冈功;有本佐;上田哲也;今井顺一;佐藤智和 -专利权人：株式会社日本多宁;田中贵金属工业株式会社
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C25B11/052 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够得到在抑制pH的上升的同时具有充分的溶解氢量的电解氢水的固体高分子膜电极。本发明涉及一种固体高分子膜电极，其是用于生成电解水的固体高分子膜电极，其中，上述固体高分子膜电极具有固体高分子膜和设置于上述固体高分子膜的正反面的含有铂族金属的催化剂层，上述固体高分子膜为烃类阳离子交换膜，并且每单位面积的离子交换容量为0.002mmol/cm2以上且0.030mmol/cm2以下。
固体高分子电极

[发明专利]多孔体、电化学电池和多孔体的制造方法-CN202080016430.6在审
发明人：齐藤润;有本佐;上田哲也 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：在多孔导电性基材上形成有金属覆膜的多孔体中，兼顾形成金属覆膜的金属的使用量的减少和多孔导电性基材与金属覆膜之间的氧化覆膜的抑制。一种多孔体，其具备具有连通的空孔和形成所述空孔的骨架的多孔导电性基材以及设置在所述骨架的表面的一部分上的金属覆膜，其中，所述多孔导电性基材的孔隙率为10％以上，所述金属覆膜的70质量％以上存在于所述多孔体的自一个表面起的厚度方向上30％以内的区域，所述骨架与所述金属覆膜之间的氧化覆膜的厚度至少在一部分位置为2nm以下。
多孔电化学电池制造方法

[发明专利]绝缘基板的检查方法、检查装置-CN201910415091.8有效
发明人： 上田哲也;鲛岛一树;盐田裕基 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供适于低成本化的绝缘基板的检查方法和检查装置。其特征在于具备如下步骤：使下部电极(23)与绝缘基板(12)的下部金属(15)接触，使上部电极(22)与上部金属(13)接触，该绝缘基板(12)具有绝缘层(14)、与该绝缘层(14)的下表面相接的该下部金属(15)以及与该绝缘层(14)的上表面相接的该上部金属(13)；以及对该下部电极(23)和该上部电极(22)施加交流电压，对由该绝缘层(14)的缺陷产生的电磁波进行检测。
绝缘检查方法装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710385329.8有效
发明人：坂本健;上田哲也;市川庆太郎;吉冈佑毅 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：目的是针对电极端子向半导体元件上表面所朝方向延伸的半导体装置，从单一引线框架集中高效地制造多个半导体装置。引线框架(2)具有：以带状排列的多个电路图案，具有芯片焊盘(2b)和设于芯片焊盘周围的电极端子部(2a)；连结杆(2c)；框部；及悬挂引线(2d)，在引线框架处将半导体元件接合至芯片焊盘，分别将多个电极端子的端部和框部的连接部分、电路图案排列方向两端部处的框部和连结杆的连接部分、各电路图案间的框部的从与连结杆连接的部位至在排列方向延伸的框部的部位之间的连接部分切断，将电极端子部(2a)的端部弯折为向半导体元件上表面方向延伸，使电极端子部的比连结杆位于上方的部位及连结杆露出并将引线框架集中地树脂封装。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201580083670.7有效
发明人： 上田哲也;吉田博;冈诚次;坂本健 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-10-06 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：目的在于提供能够削减部件个数，并且抑制成本的技术。准备具备半导体元件(13)、多个电极端子(32)和将多个电极端子(32)连接的堤坝杆(33)的构造体，向端子孔(42c)配置构造体的包含多个电极端子(32)的一部分和堤坝杆(33)在内的部分(36)。然后，在端子孔(42c)内，通过可动夹具(71)对构造体的部分(36)进行夹持，并且，将可动夹具(71)的至少一部分嵌合于端子孔(42c)，然后向一对模具的内部空间注入树脂(73)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202011518263.3在审
发明人： 上田哲也;吉田博;冈诚次;坂本健 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-10-06 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：目的在于提供能够削减部件个数，并且抑制成本的技术。准备具备半导体元件(13)、多个电极端子(32)和将多个电极端子(32)连接的堤坝杆(33)的构造体，向端子孔(42c)配置构造体的包含多个电极端子(32)的一部分和堤坝杆(33)在内的部分(36)。然后，在端子孔(42c)内，通过可动夹具(71)对构造体的部分(36)进行夹持，并且，将可动夹具(71)的至少一部分嵌合于端子孔(42c)，然后向一对模具的内部空间注入树脂(73)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202011244380.5在审
发明人：坂本健;上田哲也;市川庆太郎;吉冈佑毅 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：目的是针对电极端子向半导体元件上表面所朝方向延伸的半导体装置，从单一引线框架集中高效地制造多个半导体装置。引线框架(2)具有：以带状排列的多个电路图案，具有芯片焊盘(2b)和设于芯片焊盘周围的电极端子部(2a)；连结杆(2c)；框部；及悬挂引线(2d)，在引线框架处将半导体元件接合至芯片焊盘，分别将多个电极端子的端部和框部的连接部分、电路图案排列方向两端部处的框部和连结杆的连接部分、各电路图案间的框部的从与连结杆连接的部位至在排列方向延伸的框部的部位之间的连接部分切断，将电极端子部(2a)的端部弯折为向半导体元件上表面方向延伸，使电极端子部的比连结杆位于上方的部位及连结杆露出并将引线框架集中地树脂封装。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]贴片机、电子电路基板及功率模块-CN201810806466.9有效
发明人： 上田哲也;阿南贵彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H05K13/02 文献下载
摘要：本发明目在于提供抑制来自贴片机的设置环境的异物、来自部件的灰尘、来自装置本身的灰尘且抑制了由异物造成的不良情况的贴片机、电子电路基板及功率模块。本发明涉及的贴片机将容纳于包装带(2)的芯片部件(3)取出而搭载于基板(8)，在包装带(2)的料囊(11)的底面设置贯通孔(12)，贴片机具备带行进轨道(9)、吸附搭载臂(6)及腔室清洗机构(13)。腔室清洗机构(13)具备吸引孔(14)，该吸引孔(14)与吸附点(10)相比位于上游，被配置为在带行进轨道(9)的没有剥离盖带(4)的状态下的载料带(1)进行行进的部分与贯通孔(12)重叠，通过吸引孔(14)及贯通孔(12)而对料囊(11)的内部进行吸引。
贴片机电子路基功率模块

[发明专利]硬盘驱动器的挠性件-CN201811013310.1有效
发明人：山田幸惠;上田哲也 -专利权人：日本发条株式会社
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G11B5/60 文献下载
摘要：一挠性件(15)包括金属基部(30)、电路构件(40)和致动器(20)。电路构件(40)包括基底绝缘层(41)、导体层(42)和覆盖绝缘层(43)。导体层(42)在舌部(32)中包括第二焊盘(52)和基准孔(53)，其中基准孔(53)是待保护部分的一个示例。通过粘合剂(26)将致动器(20)的第二端部(22)固定到第二焊盘(52)。电路构件(40)包括壁部分(60)。壁部分(60)在第二焊盘(52)和基准孔(53)之间形成。壁部分(60)的高度(H2)大于第二焊盘(52)的高度(H1)。
硬盘驱动器挠性件

[发明专利]天线装置-CN201780012500.9有效
发明人：池田正和;杉本勇次;仓冈宏明;小出士朗;上田哲也;榎本康平 -专利权人：株式会社电装;株式会社综研;国立大学法人京都工芸纤维大学
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：天线装置(100)具备：底板(10)；与底板隔开规定间隔且平行地设置的贴片部(30)；将贴片部(30)和底板(10)电连接的多个短路部(40)；以及以与贴片部(30)的外边缘部具有规定间隔的方式设置的环状的导体部件即环部(50)。贴片部(30)成为在规定的对象频率中形成与短路部(40)具备的电感产生并联谐振的静电电容的面积。环部(50)以周长为对象频率的电波的波长的整数倍的方式形成。馈电点(51)被设置在环部(50)上，经由环部(50)对贴片部(30)供给电流。
天线装置

[发明专利]自主运转系统-CN201510088671.2有效
发明人：末广丰;上田哲也;土屋静男;三濑农士 -专利权人：三垦电气株式会社;株式会社电装
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供自主运转系统，其具有：监测器(2)，其检测商业电源(1)的异常；具有蓄电池的充放电装置(30、40)，它们具有对电力系统进行充放电动作的系统连网功能以及向电力系统提供恒定电压恒定频率的电力的自主运转功能；监测器(4)，其检测充放电装置(30)的电力状态，并将检测输出传递给第2充放电装置(40)；以及切换器(SW1)，其进行商业电源与电力系统的连接和切断，进行如下控制：在商业电源正常时，切换器连接商业电源与电力系统，充放电装置(30、40)进行系统连网，在商业电源异常时，切换器切断商业电源与电力系统，充放电装置(30)自主运转，充放电装置(40)根据监测器(4)的检测输出进行充放电动作，使充放电装置(30)的自主运转电力恒定。
自主运转系统

[发明专利]含有Ru的Cu合金的均质化方法-CN201580008572.7在审
发明人：山口勉功;田川辽;坂本宏史;藤田光晴;上田哲也;石崎圭子;河崎实;弘末希世史 -专利权人：田中贵金属工业株式会社;株式会社日本PGM;同和金属矿业株式会社
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种含有Ru的Cu合金的均质化方法，其特征在于,具有在至少含有Ru的Cu合金中添加选自由Fe、Ni、FeSi和Si组成的组中的至少一种物质而使在所述Cu合金中偏析的Ru均质化的工序。该均质化方法使Ru在含有Ru的Cu合金中的溶解度提高，从而能够对该Cu合金中的贵金属含量进行准确的测定。
含有 ru cu 合金均质化方法

[发明专利]电磁场带隙结构-CN201480024575.5无效
发明人： 上田哲也;畑中武蔵 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明所涉及的EBG结构具备：接地基板；第一介电层，其层叠在该接地基板上；第一导体图案，其层叠在该第一介电层上，具有外端和内端，该外端与接地基板电连接；第二介电层，其层叠在该第一导体图案上；以及第二导体图案，其层叠在该第二介电层上，具有中心部和外端，该中心部与第一导体图案的内端电连接。
电磁场结构

[发明专利]半导体器件-CN201380060012.7在审
发明人：盐田裕基;山竹厚;菅健一;山口义弘;上田哲也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：得到散热性提高并且绝缘性提高的半导体器件。半导体器件具备：半导体元件(2)；引线框(4)，半导体元件(2)与该引线框的一个面接合；第1绝缘层(5)，配置于引线框(4)的另一个面；以及金属基体板(6)，隔着所述第1绝缘层(5)而与引线框(4)连接，其中，所述第1绝缘层的外周部比所述金属基体板的外周部靠内部，包括引线框(4)的外周部的电场集中部位的所述第1绝缘层(5)的外周部被具有比所述第1绝缘层(5)更高耐湿性和更高绝缘性的第2绝缘层(7)覆盖。
半导体器件

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