[发明专利]具有高介电常数栅极介电层的半导体组件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410070489.6 | 申请日： | 2004-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1638145A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王志豪;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种具有高介电常数栅极介电层的半导体组件及其制造方法，其结构包括：一半导体台地，位于一平整的半导体基底上；一高介电常数栅极介电层，位于上述半导体台地上；以及一栅极导电层，位于上述高介电常数栅极介电层上，而上述半导体台地与半导体基底交接处可为一圆滑化的边角或一正交化的边角。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介电常数 栅极 介电层 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有高介电常数栅极介电层的半导体组件，包括：一半导体台地，位于一平整的半导体基底上；一高介电常数栅极介电层，位于该半导体台地上；以及一栅极导电层，位于该高介电常数栅极介电层上。
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