[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

申请号：	200410060086.3	申请日：	2004-06-28
公开（公告）号：	CN1577725A	公开（公告）日：	2005-02-09
发明（设计）人：	谷口润	申请（专利权）人：	精工爱普生株式会社
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00;H01L21/58;H01L21/60;H01L21/50;H01L23/12;H01L23/48;H01L23/28
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	李香兰
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供一种可靠性高且制造效率优秀的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法中，包括在具有布线图形的布线基板上(10)，搭载形成有集成电路(22)的半导体芯片(20)的步骤；以及在布线基板(10)上搭载多个具有贯通导电部(50)的电连接用基板(40)，使上述贯通导电部(50)的第1端面(52)面对上述布线图形(12)而电连接的步骤；以及形成密封上述半导体芯片(20)以及上述电连接用基板(40)且使上述贯通导电部(50)的第2端面(54)从其中露出来的密封部(60)的步骤。
搜索关键词：	半导体装置及其制造方法
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【主权项】：

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在具有布线图形的布线基板上，搭载形成有集成电路的半导体芯片的步骤；在上述布线基板上搭载具有多个贯通导电部的电连接用基板，使上述贯通导电部的第1端面面对上述布线图形并电连接的步骤；以及通过传递模塑法形成密封上述半导体芯片以及上述电连接用基板的密封部，并使上述贯通导电部的第2端面从上述密封部中露出来的步骤。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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