[发明专利]半导体发光元件及其制造方法以及半导体发光装置有效
申请号: | 200410056639.8 | 申请日: | 2001-06-29 |
公开(公告)号: | CN1591918A | 公开(公告)日: | 2005-03-09 |
发明(设计)人: | 冈崎治彦;菅原秀人 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 岳耀锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种半导体发光元件及其制造方法和半导体发光装置,可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该半导体发光元件包括:衬底;在衬底上形成的发光层,该发光层包括:第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上形成的用来发光的活性层、以及在活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层;与第二半导体层接触的第一电极;以及与第一半导体层接触的第二电极,第一电极包括:与第二半导体层欧姆接触的欧姆层、在欧姆层上形成的第一阻挡层、在第一阻挡层上形成的光反射层、在光反射层上形成的第二阻挡层、以及在第二阻挡层上形成的用来安装的覆盖电极;第一阻挡层包含与欧姆层不同的材料,光反射层包含与覆盖电极不同的材料。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件,包括:衬底;在上述衬底上形成的用来发光的发光层,该发光层包括:第一导电类型的第一半导体层、在上述第一半导体层上形成的用来发光的活性层、以及在上述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层;与上述第二半导体层接触的第一电极;以及与上述第一半导体层接触的第二电极,上述第一电极包括:与上述第二半导体层欧姆接触的欧姆层、在上述欧姆层上形成的第一阻挡层、在上述第一阻挡层上形成的光反射层、在上述光反射层上形成的第二阻挡层、以及在上述第二阻挡层上形成的用于安装的覆盖电极;上述第一阻挡层包含与上述欧姆层不同的材料,上述光反射层包含与上述覆盖电极不同的材料。
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