[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410049267.6 | 申请日： | 2004-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1572718A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 池田修;大古田敏幸 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C3/00;G01J1/02;H01L27/14;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，把配置表面形成有MEMS器件11A及其未图示的配线的多个半导体芯片10A而构成的半导体芯片30A，和配置多个密封罩20A的罩阵列晶片40A加以粘接，把MEMS器件11A密封在其空腔CV内。设置多个贯穿半导体晶片30A的通孔13，形成嵌入式电极14，再形成凸点电极15。在上述工序后，沿着划线L把该结构体切断，分割成单个的封装。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体芯片，其表面形成有被密封器件；密封罩，其粘接在该半导体芯片表面上、将上述被密封器件密封在其与上述半导体芯片之间的空间所形成的空腔内。
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