[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法

摘要

本发明的目的是提供一种通过自动地探测室中的清洗终点能够提高生产量、降低清洗气体的成本以及延长工艺套件的寿命的半导体集成电路器件的制造方法。将在等离子气体发生器中转变为等离子体的清洗气体引入室，以除去室的内壁或电极上方淀积的不必要薄膜。通过调整RF电源为薄膜形成时的低输出，将高频电压施加到底电极和上电极。通过RF传感器探测该电压并通过电子模块放大。将通过电子模块因此放大的电压输入到终止控制器。当因此输入的电压变得基本上恒定在预定电压或更大的电压时，终止控制器自动地判断清洗的终止。

主权项

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)蚀刻在其中不包含待处理晶片的等离子体CVD设备的第一薄膜形成室的内部淀积的不希望的薄膜部件，同时在所述第一薄膜形成室中引入在所述薄膜形成室的外面产生的包含第一原子团的第一气体；(b)在步骤(a)期间，以第一强度的第一射频功率使所述第一薄膜形成室中的所述第一气体经历等离子体激发且通过观察所激发的等离子体的物理或化学性能探测所述蚀刻的终点；(c)根据步骤(b)的结果终止所述蚀刻；(d)从所述第一薄膜形成室排出所述第一气体；(e)在步骤(c)和(d)之后，在所述第一薄膜形成室中存储待处理的第一晶片，(f)通过大于所述第一强度的第二强度的第二射频功率使第二气体经历等离子体激发，同时将所述第二气体引入包含所述第一晶片的所述第一薄膜形成室，由此在所述第一晶片的第一主表面上或其上方形成第一薄膜部件；以及(g)在步骤(f)之后，从所述第一薄膜形成室取出所述第一晶片。