[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410038121.1 | 申请日： | 2004-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1551340A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 望月英司;西村芳孝 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子设备技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/34;H01L23/14;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有以下特征的半导体器件：在提高半导体器件的散热性能的同时，防止因接合部的热应力而产生的变形，确保制造工序中的组装精度，使可靠性上升。半导体器件(1)在电路基板(10)的表背面分别焊接接合半导体芯片(2)、散热用基座(3)而构成，该半导体器件(1)的散热用基座(3)具有各向异性的热传导性，形成为与接合面垂直的方向的热传导率比沿与绝缘基板(11)的接合面方向的热导率大。此外，某种程度确保了没有(或小的)热传导各向异性的电路基板(10)的导体图形(13)的厚度，经由绝缘基板(11)传送的热沿与散热用基座(3)的接合面方向预扩散而扩展了传导面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包含：在绝缘基板的两面分别形成导体图形的电路基板；在所述电路基板一方的面上经所述导体图形接合的半导体芯片；和在所述电路基板的另一方的面上经所述焊接层和所述导体图形接合，使所述半导体芯片产生的热被热传导到配置在与所述导体图形反对侧的外部散热机构的散热用基座，其特征在于，所述散热用基座由具有热传导性各向异性的材料构成，使所述材料定向形成，以便与接合面垂直的方向的热传导率比沿着与所述电路基板的接合面方向的还大，以使沿着与所述电路基板接合面方向的热膨胀率和沿着所述绝缘基板的所述接合面方向的热膨胀率之差为预定值以下的方式选择材质，该预定值用于防止因所述散热用基座和所述电路基板之间产生的热应力引起所述焊接层破损。
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